SKHynix
全球第2大内存芯片制造商SK海力士公布，第4季获利超乎市场分析师预估，主要因SK海力士中国大陆厂惊传祝融，在典型需求旺季，推升芯片价格。
三星率先宣布成功推出全球首款8Gb LPDDR4移动DRAM。而今天，另一家内存大厂SK海力士也不甘示弱，正是发布了自己的LPDDR4，单颗容量同样也是8Gb(1GB)，规格也丝毫不弱。
韩国SK海力士周四宣布，该公司已开发出全球第一款采用直通矽晶穿孔(Through-Silicon Via，TSV)技术的存储器芯片，将大幅提升执行速度与效率。
昨日有险企人士透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。
根据彭博引述2名知情人士透露，全球第2大存储器芯片制造商SK海力士公司（SK Hynix Inc. KR-000660）计划在南韩兴建一座新厂，满足移动设备攀升的需求。
SK海力士(SK Hynix)为加强NAND Flash解决方案竞争力，并培育优月的研发人才，将在韩国科学技术院(KAIST)设立储存媒体解决方案中心(Storage Media Solutions Center)。
SK海力士半导体（中国）有限公司五期技术项目日前与无锡市政府成功签约，项目总投资25亿美元，这将使海力士项目实现在锡累计投资超100亿美元，成为目前江苏单体投资规模最大的外资项目。
SK海力士(SK Hynix)20日宣布将量产16纳米64Gb MLC NAND Flash。6月SK海力士以16纳米制程生产64Gb MLC NAND一代产品，目前则是同样采用16纳米制程生产，但芯片尺寸缩减，并加强了成本竞争力的二代产品。
SK海力士半导体(中国)有限公司自2005年4月在无锡新区建设以来,已成为国内产能最大的半导体生产企业,投资由20亿美元增至80.55亿美元,12英寸晶圆的生产技术由90纳米提升至29纳米。此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升至10纳
据SK海力士29日发布的消息，第三季度销售额环比增加4%，同比猛增69%，达4.0840万亿韩元(约合人民币234亿元)。营业利润环比增加5%，达1.1640万亿韩元，扭转了去年的负增长局面。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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