SKHynix
SK海力士紧跟市场趋势，不断深耕LPDDR的研发。继去年成功量产业界最高容量的18GB LPDDR5后，今年再次成功研发出业界最快的LPDDR5X（4266MHZ/8.5Gbps）。
SK海力士1ynm、1anm 16Gb DDR5 和 1anm 24Gb DDR5 DRAM 在第 4 代 AMD EPYC 处理器上支持 4800Mbps，比DDR4 产品提供高达 50% 的内存带宽。
由于传统微缩(scaling)技术系统的限制，DRAM的性能被要求不断提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)则成为突破这一困局的解决方案。SK海力士通过采用该新技术，并将其应用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率设置下也实现了晶体管性能的显著提高。
SK海力士称，“中国工厂的设备转移”等相关发言是针对可能性极低的极端情况作出的现场回复，本公司澄清并未研究过与此相关的具体计划。
SK海力士预测，供过于求的情况仍将持续一段时间。因此，公司决定将明年的投资规模从今年预计的15万亿韩元至20万亿韩元减少到50%以上的标准。
SK海力士在业界首次配备CKD，已将样品提供给PC SoC（System on Chip）公司的客户进行系统评估。
美国时间10月18日，SK海力士在美国圣何塞召开的OCP（Open Compute Project）全球峰会上同时公开CMS及应用该方案的软件平台，进而证明了面向下一代高性能计算机解决方案及客户观点的价值。
SK海力士于10月12日通过声明表示，公司完成与美国商务部进行协商，确保在接下来一年内不获取个别许可的前提下为中国工厂供应所需的半导体生产设备。
最近，由于世界经济萧条和供应链不稳定，存储器半导体的需求正在急剧减少。但是，由于存储器半导体市况变动周期呈缩短趋势，专家们预测，市况将从2024年开始逐渐恢复，并于2025年开始回升。
238层NAND闪存成功堆栈更高层数的同时，实现了业界最小的面积。新产品每单位面积具备更高的密度，借其更小的面积能够在相同大小的硅晶片生产出更多的芯片，因此相比176层NAND闪存其生产效率也提高了34%。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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