通富微电 http://www.tfme.com/

1月15日，南通通富微电三期工程举办开工仪式。据报导，通富微电三期智能芯片封测项目总建筑面积达9.54万平米，项目达成后，将形成不低于年产集成电路产品15亿片、晶圆级封装10万片的生产能力。

根据此前报导，南通通富项目共分三期，全部建成后，将成为国内最大、国际领先的集成电路先进封装测试产业化基地之一。