从2017年到2025年，MemoryS峰会见证了存储产业的发展。在今年的MemoryS 2025上，CFM闪存市场总经理邰炜先生以《存储格局 价值重塑》为主题进行了演讲，阐释了在AI时代下，存储行业如何以“价值”为导向实现产业链的重塑与升级，并多维度深度解析存储产业供应与需求格局变化、存储产品技术迭代与升级、AI对存储产业链带来的机遇与影响以及存储市场行情趋势预测等等内容。

存储不仅是数据的仓库，更是AI的神经元

人工智能技术的迅猛发展在全球范围内引发大语言模型（Large Language Model, LLM）的“技术军备竞赛”，其模型参数量级呈现指数级增长态势。与此同时，LLM的架构范式正从单一文本模态向图像、音频、视频等多模态领域快速演进，推动通用人工智能（Artificial General Intelligence, AGI）的实现路径逐渐清晰化。在此过程中，计算能力的爆发式增长不仅驱动存储容量需求的快速攀升，更对存储系统的性能提出了多维度的严苛要求——包括高吞吐带宽、低延迟响应以及异构数据的实时处理能力等等，存储正在成为支撑AI算力落地的关键底座。邰炜先生表示，“AI让存储变得更为基础和关键”。

这种变化对DRAM和NAND Flash都带来非常直观的体现。在2025年，DRAM将挤进一个产值占比接近30%的HBM，引起DRAM格局的“芯”变。同时在应用上，2024年服务器所消耗的DRAM产能已经超过了手机，并还将在2025年进一步提高。在NAND Flash方面，对大容量存储需求的持续增长使得QLC时代提前来临。“2024年还曾一度出现QLC供不应求的情况，今年预计QLC将占到接近总产能的20%”，邰炜先生表示。同时服务器、PC、智能手机上QLC的应用在2025年都有了巨大的提升。正是因为这些变化，2024年存储行业迅速走出阴霾，并据CFM闪存市场数据显示，创造了1670亿美元的历史新高，其中NAND Flash市场规模达696亿美元，DRAM市场规模达973亿美元。同时仍将看到容量上看到，2025年NAND Flash和DRAM bit容量需求较2024年分别增长12%和15%。

AI重构存储产品应用，激发服务器、PC、智能手机等市场“芯”机；DeepSeek带来鲶鱼效应

据邰炜先生表示，“服务器市场已经成为存储需求发展的核心驱动力，2024年服务器NAND的容量暴增了108%，而服务器DRAM和HBM更是增长了24%和311%，手机和PC市场相比2024年也将有所增长。”而这些都离不开AI的影响。

CFM闪存市场数据显示，2025年服务器整机台数将继续增长至1330万台，其中AI服务器占比将达到14%，进一步推高服务器的存储配置。同时在CPU的支持和训练效率提升的作用下，“2025年部分厂商的服务器PCIe 5.0的搭载率将达到30%”，邰炜先生表示。在服务器DRAM方面，随着下半年AMD图灵平台的上市，预计6400MT/s的96GB/128GB的DDR5在服务器市场将会迎来放量增长。同时，英伟达GPU架构由Hopper转向Blackwell的再次升级，在2025年将带动HBM从HBM3正式进入HBM3E。

相比较热火朝天的服务器市场，手机市场就显得略平淡。近几年随着消费者换机周期的一再延长，智能手机在销量上的变化幅度已经非常小。而AI手机的出现将成为智能手机市场新的动力。邰炜先生表示，“手机依然是消费者的重要入口，我们也和手机厂商有过很多的交流，大家对AI手机都保持了较大的信心，能够极大地提升用户体验并带来增值，AI也将给手机带来新的发展动力”。在存储应用上，分离式存储的占比继续提升，AI将加速对更高性能LPDDR的需求。“目前旗舰手机ePOP方案均是496 ball LPDDR5X，而随着明年LPDDR6的推进，LPDDR5X将下沉至中端手机，尺寸更小、成本更优的245 ball LPDDR5/5X也将具备更大的优势”，邰炜先生表示。

作为主力的生产力工具，AI在PC上的落地将更显快速，邰炜先生表示，“今年我们预计AI PC相比去年将有质的飞跃”。在PC DRAM上LPDDR5X和DDR5将成为主要应用，其中LPCAMM2这些形态的存储产品也将提供更多选择。在SSD上，随着先进制程的PCIe5.0主控芯片由12nm制程演进至5/6/7nm的先进制程，采用四通道DRAM-less的设计可达到超过10GB/s的连续读取性能，使得功耗和散热得到有效缓解，预计PCIe 5.0方案将在2026年的消费类市场上得到普及。

汽车作为存储的下一个重要应用市场，在整车厂的推动下，智能驾驶的普及率有望得以飞速提升，存储系统已从辅助部件蜕变为智能汽车的核心战略资源，车用存储迎来新的发展阶段。从eMMC到UFS，甚至看到Auto SSD，高性能存储满足智驾算法对高并发数据访问的严苛要求；LPDDR5X/6令动态功耗进一步降低，支持自动驾驶系统24小时待机。此外，AI眼镜、智能手表以及更多消费性电子产品的增加也会给存储带来更多的应用市场。

“说到AI，当然也不得不提DeepSeek”，邰炜先生表示，“（DeepSeek使得）开源和更低成本的AI方案充满想象空间”。继续卷算力的模式似乎不再是最优解，中国市场进入AI推理大干快上时代。DeepSeek激起行业垂直性应用需求的爆发，将推动端侧AI落地加速。这些都强有力地推进了存储产业的持续高速发展。

供应端：原厂减少旧产能，聚焦先进制程及技术迁移

在供应端，从各大存储原厂的财报都可看出，存储原厂基于稳住价格跌幅、保证利润的策略重心，减少旧产能、聚焦先进制程产品的生产以及技术的迁移。整个资本支出将更多投入到更先进封装或研发上，更侧重于HBM、1c、1γ和200层、300层这些先进产能。而整体wafer产出相比以往的增量将减少很多。

在技术路线上，NAND将继续朝更高堆叠发展，2025年将进入300层以上的时代，同时混合键合技术已经成为NAND Flash重要的技术发展方向，存储原厂持续通过优化技术架构和材料，克服超高层NAND Flash的量产挑战。在DRAM方面，2025年更会看到在1c、1γ这些DRAM制程上的演进。

2025年存储行情：部分市场Q2有望率先企稳

最后，邰炜先生谈到了价格行情的趋势预测。DRAM和NAND Flash的价格从2023年三季度到2024年三季度连涨五个季度，不过2024年四季度DRAM继续涨，NAND却跌了。在消费淡季的影响下，2025年一季度DRAM和NAND价格已经全面下跌。但是，现在也看到了“AI催动了需求的增加，存储技术朝更先进技术上迁移以及原厂在产能资本支出上正在减少”，邰炜先生表示。需求回升、供应趋紧，存储行业整体大幅供过于求的现状正在发生改善，“尤其在现货市场上已经有了止跌的明显信号”，邰炜先生表示，“我们预计在Q2季度，尤其部分NAND产品价格将率先开始企稳，Q3将有机会迎来整体的回升。”

当前存储市场供需关系的结构性调整正加速推动定价权向需求端倾斜，存储行业周期性波动特征显著弱化。2023至2024年间，DRAM与NAND Flash市场价格呈现显著波动性，其剧烈震荡对资本密集型存储产业构成严峻挑战。值得关注的是，在AI技术驱动下，存储的角色已从传统数据洪流的承载者升级为智能化基础设施的核心支撑，持续赋能AI算力部署与多模态场景应用。长期来看，AI对高带宽、大容量及低延迟存储的需求将形成结构性增长动力，但短期价格的超幅波动可能抑制技术应用生态的健康发展。正如邰炜先生最后所呼吁的，“保持稳定合理的价格是行业健康发展的核心因素”。