AI技术迅猛发展，以DeepSeek为代表的创新应用，推动存储市场对超高速、超大容量、低功耗及小体积存储解决方案的需求激增。

3月12日，时创意以“存储芯地标· 共赢新高度”为主题出席MemoryS 2025，此为时创意于年初整体搬迁至“新总部大厦”后参加的首场产业峰会。峰会期间，时创意全方位展示3款全新AI存储产品与解决方案：超高速PCIe 5.0 SSD、高效能内存LPDDR5X、小尺寸eMMC5.1。入驻新总部大厦后，时创意在新质智造工艺与产能、产品研发创新和质量接近饱和等方面不断实现快速突破，受到与会嘉宾、媒体关注的广泛关注。

▲MemoryS 2025峰会现场

立足“存储芯地标” 加速智造水平全面升级 

作为集研发、制造及营销于一体的存储地标性建筑，时创意总部大厦建筑面积达66000㎡，新质智造产线全面投产后，时创意整体产能将提升300%以上。目前，时创意总部大厦引进超薄研磨、隐形切割、压缩塑封和一体化测试等多项业界领先工艺技术。截止目前，时创意芯片封测年产能达300KK，模组制造年产能达18KK，预计未来3至5年，年产能复合增长率将超过20%。

▲时创意总部大厦实拍图

时创意智能制造中心采用动态千级静态百级无尘洁净室，配备全球一流的SDBG隐切设备，晶圆研磨划片达25um厚度薄Die，具备16 Die BGA芯片封装能力，还引入C Molding工艺，具备0.6mm超薄芯片塑封能力，配置全球顶级测试设备，超高频测试速率达11000MHz，达世界级标准或领先水平。

时创意通过智能化制造车间的建设和优化，在交付能力、交付效率、全流程质量管理和追溯体系建设方面提升明显。通过智能化生产线和数字化管理系统的高效协同，产能大幅提升，同时显著降低产品不良率，可快速响应客户需求，满足大规模订单交付要求。

布局AI多元场景应用 聚力存储新质发展

超高速PCIe 5.0 SSD

时创意全新发布的S14K Pro PCIe 5.0 x4 NVMe SSD，专为AI、高性能计算、数据中心等对存储性能要求极高的应用场景设计，为DeepSeek等AI应用提供了强大的存储支持，助力AI模型训练、推理加速以及海量数据的高效处理。该产品支持端到端数据保护和动态写入加速、4K LDPC纠错算法；支持自适应热保护以及APST NVME 自主功率状态转换，可有效降低运行能耗，延长使用寿命。 

▲时创意超高速PCIe 5.0 SSD实测

高效能LPDDR5X

时创意全新一代高效能内存LPDDR5X，传输速率达8533Mbps，相较上一代产品性能提升33%，功耗降低达25%，充分满足AI PC、AI手机等新一代智能终端的严苛需求，为AI模型的本地化运行提供强有力的支持。

LPDDR5X采用WCK信号设计、多Bank Group模式，进一步提高传输性能；通过动态电压调节(DVFS)，运用“深度睡眠”模式、自适应刷新管理功能，并引入Data-Copy、Write-X节能技术，显著降低功耗，极大延长终端续航时间。

小尺寸eMMC5.1

小尺寸eMMC5.1完美契合AI眼镜、智能手表等智能穿戴设备对轻薄设计的严苛要求，助力实现实时翻译、场景识别、AR交互、健康监测、运动追踪等智能化功能，推动智能穿戴设备向更高水平迈进。 

该产品支持S.M.A.R.T自监控/分析/报告技术、磨损均衡机制、垃圾回收机制；LDPC 3.0 ECC纠错与端到端数据保护，有效提升数据传输稳定性及完整性。

▲时创意现场展台

汇数“智”之势 驱动企业信息化全面升级

时创意以“标准化、自动化、信息化”为基石，实现IT/OT深度融合与端到端流程贯通；并深度融合AI、大数据分析与数字孪生技术，构建数字化核心能力；同时并行与融合构建实现“自学习、智能预测与全生态互联互通”的智能化体系，形成数智化管理闭环。目前，时创意已通过国家智能制造能力成熟度三级认证，完成从基础信息化到智能化的跃迁，打造出覆盖“数据驱动-智能应用-业务增值”的全链条数智化建设蓝图。

▲数智化管理平台

展望未来，时创意将坚持高强度的研发投入，深化产品技术创新，进一步提升产品性能和市场竞争力，持续推出更多高效能存储方案，满足AI、5G、自动驾驶等新兴领域的需求。同时，时创意将加强与全球产业链伙伴协同，为推动存储产业新质发展持续贡献力量。