随着AI技术的迅猛发展和广泛渗透，无论是边缘还是数据中心，都正经历着前所未有的数据存储需求激增。不同场景下的用户需求也日益呈现出差异化态势。面对AI浪潮、内容爆炸与智能驾驶等等挑战，正式宣布顺利完成分拆并独立上市的闪迪Sandisk，又会如何用技术破局？

在MemoryS 2025峰会上，闪迪全球产品副总裁Eric Spanneut表示“Sandisk is back！我们的DNA始终如一——以系统级领导力解决现实世界的存储难题”，并发表《向新而行：系统方案应对现实挑战》的主题演讲。

闪迪 全球产品副总裁 Eric Spanneut

传统平面工艺的容量提升已触及物理极限， NAND Flash生产商转向3D垂直堆叠实现突破。然而，早期3D技术面临新挑战：存储阵列层数增加导致晶圆厚度线性增长，生产时间与厚度同步上升，单纯堆叠层数反而推高成本。为此，行业开始探索晶圆架构的微观革新——从CNA（CMOS配置在存储阵列旁）、CUA（CMOS配置在存储阵列下方）到CBA（CMOS Bonded Array），核心目标是在提升层数的同时压缩工艺周期。

闪迪BiCS8 3D NAND采用革命性的CBA技术，通过存储阵列与外围电路的分步制造与混合键合（Hybrid Bonding），实现业界最高2Tb的单Die容量以及最高的单层bit密度，同时兼具出色的IO速度以及写入功效。凭借高容量、低成本、高性能齐聚一身的BiCS8，深度融合先进封装、智能固件以及场景化负载优化等，闪迪能够提供具有全球领导力的存储解决方案，以应对在消费类、AI PC、自动驾驶与数据中心领域中的现实挑战来满足不同客户的差异化需求。

在消费类市场，闪迪看到AI为内容创作带来全新体验，然而全球3亿内容创作者正面临存储焦虑——制作一段5分钟的4K 60帧视频需要高达15GB的存储空间，然而这对于以智能手机为主要生产力工具的创作者来说存储空间显然捉襟见肘。为解决这一困境，闪迪展示了闪迪创作者系列磁吸手机移动固态硬盘（Sandisk Creator Phone SSD），采用MagSafe磁吸设计直接吸附在手机上，1TB/2TB大容量和高达1000MB/s 以及950MB/s的读写速度，高效完成数据到SSD的转移，解放创作者的存储空间。“今年我们还将带来第二代高容量客户端QLC SSD支持4TB容量，以应对内容爆发式增长。”Spanneut强调。

闪迪在本届MemoryS上正式推出了全新产品iNAND MC EU711嵌入式闪存驱动器，面对AI在终端上的应用发展，为用户带来了优化的移动存储体验。该产品采用更高性能的NAND技术和全新的UFS 4.1标准，专为移动智能终端设计，助力释放AI潜力。

AI从云端下沉至终端，多任务并行对存储提出严苛要求，“PCIe 5.0可将大型语言模型加载时间缩短至毫秒级，大幅改善端侧AI的用户体验”，Spanneut介绍到。闪迪计划推出两款PCIe 5.0消费级SSD，高性能版拥有高达14,900MB/s顺序读取速度，7瓦功耗，提供最高8TB容量，专为移动工作站和游戏电脑设计；主流版拥有高达11,000MB/s顺序读取速度，5瓦功耗，提供最高4TB容量，适配各类AI PC。

在汽车存储市场，L2+级自动驾驶汽车需实时处理海量传感器数据。闪迪推出了旗下首款采用UFS 4.1规格的车规级存储产品：Sandisk iNAND AT EU752 UFS4.1嵌入式闪存驱动器。该突破性解决方案采用了闪迪最新BiCS8 TLC NAND技术，预计性能可达此前闪迪UFS 3.1产品的两倍以上，且容量将达市场现有产品的两倍，高达1TB。旨在支持需要更高存储性能、容量、耐久性和可靠性的革新应用，为智能汽车打造“数据中枢”。

Sandisk iNAND AT EU752 UFS4.1嵌入式闪存驱动器（右2）

在数据中心领域，面对云存储的延迟与成本难题，FDP（Flexible Data Placement）技术应运而生，在SSD中引入FDP能够通过优化数据存储布局显著提升性能、降低延迟以及延长设备寿命。闪迪全系数据中心SSD支持FDP，覆盖U.2、E1.S、E3.S多种封装规格。AI应用需PB级数据湖支撑，传统HDD面临密度与能效瓶颈，闪迪认为高容量企业级SSD正在AI模型训练、推理和AI服务部署阶段中发挥关键作用，持续优化数据中心空间和功耗。 

闪迪企业级SSD产品矩阵

从创客经济到AI PC，从自动驾驶到数据中心，闪迪正以“系统级领导力”重塑存储边界。正如Eric Spanneut所言，过去20年，NAND技术支撑了云转型；未来20年，它将定义AI时代的效率与可能性。