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三星电子通过组织重组，将DS部门的制造和技术组织分离为存储器部门的制造和技术以及代工部门的制造和技术，以提升竞争力和专注度。
继11月27日宣布2025届总裁级别人事变动后，三星电子今日宣布2025年定期高管人事改组名单，共晋升137人，其中副社长35人、常务董事92人、专家10人。
三星电子宣布2025届总裁级别人事变动，以增强未来的竞争力，重点关注半导体业务。此次总裁人事变动的主要特点是克服不确定的内外部经营环境，以实现新的飞跃。
NRD-K 将配备High-NA EUV光刻和新材料沉积设备，旨在加速开发下一代存储器半导体，例如3D DRAM 和具有 1,000 层以上的 V-NAND。此外，还计划对接具有创新晶圆对晶圆键合功能的晶圆键合基础设施。
另有消息称，三星电子正为微软和Meta量身打造第六代定制化高带宽存储器（HBM）HBM4。预期从HBM4开始，除了存储器功能外，HBM还需具备能够执行客户需求的各种运算。
今年三季度三星电子HBM总销售额环比增长超过70%，HBM3E 8层和12层堆叠产品均已量产并开始销售，HBM3E的销售占比已上升至HBM总销售额的10%左右，预计第四季度HBM3E将占HBM销售额的50%左右。
三星电子128GB CMM-D产品基于12nm级32Gb DDR5 DRAM和 Montage 的下一代控制器，与上一代产品相比，带宽提高10%，延迟降低20%。
24Gb GDDR7采用了第五代10纳米级DRAM制程技术，在相同封装尺寸下提高了电池集成度，与之前的产品相比，容量增加了50%；通过脉冲幅度调制（PAM3）信号技术，使其速度在图形DRAM中达到40Gbps，根据使用环境的不同，其性能可进一步提升至最高42.5Gbps。
在公布第三季度盈利指引后，三星电子DS部门负责人全永铉就公司业绩不佳发表道歉声明，“很抱歉没有达到市场预期，引起了人们对我们基本技术竞争力和公司未来的担忧。领导业务的管理层负有全部责任，我们将带头克服这场危机，让第三季度的疲软收益成为三星的转折点。”
性能方面，990 EVO Plus系列连续读取速度高达7250 兆字节/秒 (MB/s)，写入速度高达 6300MB/s，比上一代 990 EVO 提升高达 50%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
三星电子2024年第三季度财报 2024-11-01
三星电子2024年第二季度财报 2024-08-01
三星电子2024年第一季度财报 2024-05-10
三星电子2023年第四季度财报 2024-01-31
三星电子2023年第三季度财报 2023-10-31
三星电子2023年第二季度财报 2023-08-04
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