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导语:

2017年初NAND Flash相关的闪存产品价格涨势依然未减,自2016年Q2涨价以来,部分SSD价格已累积涨幅超过70%,闪存卡价格更是涨回2年前的水平。由于价格持续且大幅度上涨,已对大部分厂商采购造成了很大的影响,甚至市场部分SSD需求逆向转到64GB小容量,对市场也造成了影响。

1.价格大幅度上涨,高价格已不利于SSD市场和产品的发展

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,自2016年Q2涨价以来,120GB TLC SSD价格已从25美金上涨至44美金,累积上涨76%;240GB TLC SSD价格从44美金上涨至74美金,上涨68%;480GB TLC SSD价格从85美金上涨至133美金,上涨57%。

2.5'SSD SATA3 120GB

2.5'SSD SATA3 240GB

中国闪存市场ChinaFlashMarket分析,由于SSD价格持续走高,导致采购成本居高不下,再加上原厂NAND Flash供货依然不足,2017年初大部分SSD厂商因资源不够导致出货至少减两成以上,影响营收和利润减少,还有部分厂商采取短线操作,快进快出的市场策略,使厂商之间不得不拼Flash资源,一些中小型厂商甚至将面临被淘汰的危险。

对于市场发展而言,近两年来SSD需求强劲,据中国闪存市场ChinaFlashMarket统计,2016年全球消费类市场SSD出货量超过1.1亿台,2017年有望超过1.3亿台。在SSD市场成长期,市场主流需求原本应该向240GB转移,然而因为SSD较大幅度的涨价,2017年初客户对240GB容量需求明显减弱,甚至还有部分客户转向64GB小容量且混合搭载HDD。

SSD主要是抢占HDD的市场份额,但由于SSD市场涨价行情的持续发酵,京东商城2017年3月初的120GB SSD零售价格都在400元(人民币,含税)以上,而HDD 1TB价格在300元-350元(人民币,含税)之间,显然SSD价格没有优势,中国闪存市场ChinaFlashMarket保守预计2017年SSD在消费类市场渗透率在40%左右。

京东商城1TB硬盘零售价格
京东商城1TB硬盘零售价格
京东商城120GB SSD零售价格
京东商城120GB SSD零售价格

2.半导体原材料成本增加,手机厂下修首季订单,eMMC/eMCP市场表现清淡

据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价,自2016年Q2涨价以来,部分嵌入式产品eMMC/eMCP价格累积涨幅也超过了60%,其中主流容量eMMC 16GB TLC价格由3.45美元上涨至5.7美元,累积上涨66%,eMMC 32GB TLC从7美元上涨至9美元,累积上涨29%。

2017年初受需求淡季影响,eMMC/eMCP价格整体走势平稳,部分低容量产品价格还出现了小幅度下滑的迹象。市场需求下滑,主要是因为半导体原材料包括PCB板、存储器、显示屏等价格上涨导致采购成本增加,再加上适逢新旧产品交替时期,华为、OPPO、Vivo等手机厂商首季订单下调一成左右,国内市场手机1月和2月出货量分别环比下滑26%、37%,平板出货也有明显下滑,台湾地区手机相关厂商也出现订单大减,或低于上季出货水平的情况。

eMMC 16GB TLC V4.5/5.0

对于市场发展而言,国内手机厂商正处于上升期,2016年华为、OPPO、Vivo在国内手机市场排名前三,远超三星和苹果,在全球手机市场,合计三家市占份额超过三星,仅次于苹果。2017年华为智能型手机出货目标为1.7亿台,OPPO年销售量目标上看1.4亿-1.6亿台,Vivo也定制了1.4亿台的目标出货量。由于原材料价格上涨,已抑制了消费类市场部分需求的增长,若价格还是一味的持续走高,或者市场持续缺货,还会影响国内手机厂2017年定下的销售目标,不利于市场的健康发展。

2017年华为、OPPO、VIVO智能型手机出货目标
2017年华为、OPPO、VIVO智能型手机出货目标

3.2017上半年供货吃紧仍是主基调,下半年原厂3D NAND资源是关键

2017年首季虽然智能型手机和消费类SSD出货有所下滑,但是服务器市场对SSD需求在增加,弥补了消费类淡季需求下滑的空挡,再加上原厂NAND Flash供货依然紧缺,所以NAND Flash价格未见大幅下跌。

NAND Flash市场缺货,主要是因为原厂向3D技术转换导致NAND Flash产出减少,但经过一年的过渡期,2017年三星3D NAND将主力提升64层生产。东芝64层512Gb已送样,下半年将开始大规模量产。SK海力士则直接跳过64层挑战72层,美光也会加快64层3D NAND投入。

Flash原厂制程技术时程图(Roadmap)
Flash原厂制程技术时程图(Roadmap)

中国闪存市场ChinaFlashMarket分析,原厂3D技术基于64层,一个12英寸的晶圆大约可以切割出780颗256Gb(32GB)容量的Flash Die,相较于48层3D技术产出可提高60%。同时,三星、英特尔、SK海力士、东芝均提高了资本支出金额,势必会加快三星Fab 17/18、东芝Fab 2、美光F10X、SK海力士M14等新工厂投入生产3D NAND。

中国闪存市场ChinaFlashMarket预计,2017年上半年在原厂3D NAND资源未大量释放之前,供货吃紧仍是主基调。2017下半年是需求旺季,还有需求量较大的苹果新iPhone上市,3D NAND资源想必也会陆续释放出来,届时市场供货紧缺的市况将有望得到缓解。

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