2018年Q3出货旺季,在存储器Bit出货量增加带动下,存储器原厂财报业绩抢眼。然而,存储器涨价优势不再,存储厂商Q4财报恐难抵下滑之势。为了平衡市场供需,以及提高市场竞争力,存储器原厂一方面加快96层3D NAND和1ynm DRAM量产的步伐,提高成本优势,另一方面控制产出,以免供过于求的情况更加严重。原厂此举将有助于NAND Flash和DRAM价格的稳定。
近3年NAND Flash综合价格指数走势图中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,数据截止至2018年10月31日
2018年以来,Flash原厂持续扩大64层3D TLC NAND供货,且以256Gb和512Gb供货为主,再加上美光和英特尔64层1Tb QLC NAND在市场应用,导致市场供过于求。即使在Q3出货旺季,NAND Flash价格也依然表现跌势。据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,Q3 NAND Flash价格指数下滑22.5%,相较于Q2 24.6%的跌幅略有收窄。截止到10月底,2018年NAND Flash价格累积跌幅高达63%,其中高容量SSD跌幅高达55%,eMMC价格跌幅达50%,闪存卡价格跌幅超过50%。
在NAND Flash价格跌幅持续扩大的环境下,存储器原厂Q3财报却表现抢眼。其主要是因为三星、苹果、华为等高端旗舰机容量向512GB升级,以及SSD向高容量转移需求带动下,Flash原厂NAND Flash bit出货量增加,从而抵消了Q3市场价格下滑的影响。据各家公布的财报数据显示,三星Q3净利润13.15兆韩元,同比增长17.5%。美光Q4净利润43.25亿美元,同比增长82.6%。SK海力士Q3净利润4.69兆韩元,同比增长54%。英特尔Q3净利润63.98亿美元,同比增长42%。
近2年,存储器原厂净利润持续走高,除了市场对NAND Flash容量需求增加外,DRAM和NAND Flash价格上涨也是主因。如今NAND Flash价格大跌,据中国闪存市场ChinaFlashMarket数据,每GB价格下探至0.08美金,已逐渐逼近部分厂商的成本价。此外,DRAM价格也有明显的松动,再加上进入传统的Q4需求淡季,三星、西部数据、美光、英特尔等Q4财报难抵下滑之势,均预告营收或利润会有所下滑。
为了提高产品竞争力,存储器原厂正在加快有成本优势的96层NAND和1ynm DRM技术量产。同时,为了平衡市场供需,原厂产能采取“紧急制动”,其中西部数据宣布Fab工厂减少产出量,并推迟96层技术的下一步扩产计划,三星扩产平泽厂DRAM产线计划也有所调整。原厂此举将有助于NAND Flash和DRAM价格的稳定。
随着Flash原厂从2018下半年陆续进入64层QLC和96层TLC量产阶段,国际原厂新一轮技术较量正式拉开序幕,预计2019年将推进96层QLC技术发展,不仅单颗Die容量向1Tb升级,也将进入QLC元年,而NAND Flash市场供货进一步增加,将对市场影响巨大。
随着武汉二期、南京、成都三大基地开工,中国存储产业发展又向前推进了一步。然而,中国企业也遇到了困难和险阻。比如:长江存储如何快速推进3D技术工艺,紫光存储如何整合资源强化竞争力,以及福建晋华如何化解 “美国禁令”危机等,很多问题都有待去解决。
1、本专题版权归深圳市闪存市场资讯有限公司所有;
2、未经许可,任何人不能以任何形式转载、传输、重制、出版或播送;
3、如需转载或者引用,请注明来源:中国闪存市场www.chinaflashmarket.com;
4、对内容若有异议,请及时与我们联系。
深圳市闪存市场资讯有限公司
客服电话:0755-86133027
Email:Service@Chinaflashmarket.com
地址:深圳市高新区中区科技中二路软件园一期4栋6楼
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2