在全球经济疲软的大环境下,2019上半年原厂和品牌厂都面临着很大的库存和出货压力,导致NAND Flash和DRAM量价齐跌,并影响到存储厂商Q1财报获利砍半或亏损,因此原厂不得不祭出减产策略,以平衡市场供需,并寄望下半年市况有所好转。
由于全球智能型手机出货同比下滑,英特尔处理器缺货仍未缓解,数据中心库存持续调整,再加上贸易关系紧张、汇率波动等影响,使得中国市场需求表现非常差,韩国半导体出口也是连续数月同比下滑。在市场量价齐跌的双重冲击下,原厂64层/72层3D TLC NAND库存水位持续攀高,2019年以来NAND Flash市场供过于求的市况未见改善,反而情况更加的严峻。
在经历2018年大跌后,截止到5月20日,2019年消费类NAND Flash价格指数累积跌幅已逼近30%,消费类每GB价格跌到0.06美金,其中SSD、eMMC、闪存卡等价格跌幅均已超过了20%。因为NAND Flash价格持续跌势,以及DRAM价格也表现大跌,存储芯片价格下滑的速度出乎市场预料,导致2019年首季包括原厂、主控厂等在内的存储厂商营收明显下滑,利润砍半甚至出现亏损的情况。
消费类市场NAND Flash综合价格指数走势
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,数据截止至2019年5月20日
消费类NAND Flash每GB价格走势图
中国闪存市场网www.chinaflashmarket.com,单位:美金
据原厂最新财报显示,三星Q1净利润5.04兆韩元,同比下滑56.9%;SK海力士Q1净利润1.1兆韩元,同比下滑65%;美光Q2财季净利润19.7亿美元,同比下滑43.6%;英特尔Q1净利润40亿美元,同比下跌11%;西部数据Q3财季净亏损5.81亿美元;东芝存储器(TMC)Q4财季净亏损193亿日元。
原厂存储业务营业收入变化
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原厂存储业务营业利润变化
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2018年跌价以来,原厂营收和利润的增速逐季放缓,并从2018年Q4出现下滑,2019年首季财报进一步恶化,尤其是东芝存储器和西部数据受NAND Flash跌价影响最大。为了平衡市场供需,减缓NAND Flash和DRAM跌价的速度,以及改善企业财务状况,Flash原厂纷纷采取减产策略。继西部数据在2018年底宣布减缓投资后,三星2019年Q1资本支出砍半,美光、英特尔、SK海力士、东芝存储器也相继宣布减少NAND Flash Wafer的产量。
在Flash原厂陆续减产消息影响下,以及NAND Flash价格杀到见骨,5月NAND Flash价格有所趋稳,但是由于原厂以及品牌厂仍有很大的库存和出货压力,部分产品价格依然持续跌势。业内人士认为,到2019下半年英特尔处理器缺货的情况将明显改善,再加上旺季购物需求的带动,预计NAND Flash市况有所好转,但原厂库存压力仍在,涨价的可能性非常小,降价的速度会有所趋缓,企业所面临的考验依然在持续升级中。
存储产业遭遇逆风,原厂一方面采取减产策略平衡市场供需,另一方面则积极的导入96层3D NAND在主流需求的SSD和嵌入式产品中的应用,提高在市场上的竞争力,同时积极的推动新型技术和先进技术的发展,提高核心技术水平。
中国持续加强在集成电路产业中的投入,不仅仅是在中国各地区加强投资建设生态圈,中国企业也扩大在国外的投入,同时也吸引了格力、富士康、康佳等企业通过合作、投资等加入进来,正扩大在原材料、硅晶圆制造、芯片制造、封装等重要环节的布局,完善产业生态链。
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