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3D NAND技术发展现状

编辑:Helan 发布:2014-08-05 11:51

随着NAND Flash纳米制程技术不断向下微缩,技术瓶颈越发凸显,3D NAND Flash技术经过几年时间的沉淀,上游芯片厂三星、东芝、海力士、美光已在2013年公布了3D技术规划的时程表。
3D NAND技术与现有的2D NAND(纳米制程技术)截然不同,2D NAND是平面结构而3D V-NAND是立体结构,3D结构是以垂直半导体通道的方式排列,多层环绕式栅极(GAA)结构形成多电栅级存储器单元晶体管,可以有效的降低堆栈间的干扰。3D技术不仅使产品性能至少提升20%,而且功耗可以降低40%以上。
三星已在2013年8月首次批量生产3D V-NAND产品,制程35nm,可以堆叠24层,容量可达128Gb V-NAND,到2015年24nm 3D 36层容量将达到1Tb。东芝/闪迪计划采用P-BiCS(Pipe-shaped Bit Cost Scalable)技术生产3D NAND Flash产品,于2015下半年量产;美光3D NAND Flash产品预计2014年第二季度送样,量产时间待定;SK海力士则使用微调VSAT(Vertical Stacked Array Transistor)技术生产3D NAND Flash,也于2015年迈入量产阶段。
虽然各芯片厂都已列出了3D技术的量产时程表,但目前除了三星已开始量产外,其他芯片厂均在2015年量产,未来1年多的时间将依然以2D NAND技术生产为主,直到1znm的工艺。

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股市快讯 更新于: 12-23 18:48,数据存在延时

存储原厂
三星电子53500KRW+0.94%
SK海力士169600KRW+0.65%
铠侠1580JPY-7.33%
美光科技90.120USD+3.48%
西部数据60.240USD+1.04%
南亚科31.00TWD+1.97%
华邦电子15.20TWD+1.33%
主控厂商
群联电子479.5TWD+3.34%
慧荣科技53.900USD+1.26%
联芸科技43.73CNY+2.05%
点序45.30TWD+0.67%
国科微72.50CNY-1.53%
品牌/模组
江波龙93.95CNY-1.38%
希捷科技87.310USD-0.26%
宜鼎国际214.5TWD+1.90%
创见资讯90.3TWD+1.46%
威刚科技79.0TWD+0.13%
世迈科技18.510USD+0.82%
朗科科技22.03CNY-3.50%
佰维存储65.70CNY-2.87%
德明利90.40CNY-2.16%
大为股份12.54CNY-4.13%
封测厂商
华泰电子34.60TWD+1.76%
力成124.5TWD+2.47%
长电科技39.03CNY-2.38%
日月光160.5TWD+1.90%
通富微电29.43CNY-2.49%
华天科技11.93CNY-2.21%