韩媒：三星3nm制程良率“已臻完美”，台积电良率最多50%

据韩媒引述业界消息报导，三星资深高层近期受访时表示，目前三星第一代3nm制程良率「已臻完美」(a perfect level)，第二代3nm芯片的研发行动也已展开。

三星3nm是首次采用旗下第一代「环绕式闸极」(gate-all-around；GAA)结构晶体管的制程技术。而台积电的3nm芯片则继续使用现有的「鳍式场效」(Fin Field-Effect Transistor；FinFET)结构晶体管。

台积电量产3nm芯片的时间点比三星落后约6个月。有消息称苹果是台积电3nm制程技术的第一个客户，且台积电3nm制程良率已高达85%、高于三星。

但韩媒引述韩国业界消息指出，台媒传出的良率数字太夸张，考虑到台积电的量产及出货给苹果的时程，良率最多应该只有50%。