台积电：2nm进展良好，2025年如期量产

台积电日前于2023 年北美技术论坛上揭示最新技术发展，强化版 3nm(N3P) 制程预计明年下半年量产，2nm技术开发进展良好，将如期于2025 年量产。

台积电指出，随着 3nm制程已进入量产，强化版 N3E 制程预计今年量产，台积电推出更多 3nm技术家族成员，以满足客户多样化的需求，其中 N3P 预计 2024 年下半年进入量产。

N3X 着重于效能与最大频率频率以支持高效能运算应用，预计 2025 年量产；N3AE 将提供以 N3E 为基础的汽车制程设计套件 (PDK)，预计 2023 年推出，让客户提早采用 3nm技术设计汽车应用产品，以便于 2025 年及时采用届时已全面通过汽车制程验证的 N3A 制程。

台积电表示，目前 2nm技术开发进展良好，采用纳米片晶体管架构，在良率与组件效能上皆展现良好的进展，将如期于 2025 年量产。相较于 N3E，在相同功耗下，速度最快将可增加至 15%；在相同速度下，功耗最多可降低 30%，同时芯片密度增加大于 15%。

此外，台积电也揭露 3DFabric 系统整合技术主要进展，先进封装方面，为满足高效能运算应用在单一封装中置入更多处理器及内存的需求，台积电正在开发具有高达 6 个光罩尺寸重布线层中介层的 CoWoS 解决方案，能容纳 12 个高带宽内存堆栈。

台积电也宣布推出 SoIC-P，作为系统整合芯片（SoIC）解决方案的微凸块版本，提供具有成本效益的方式来进行 3D 芯片堆栈。