NEO半导体推出突破性3D X-DRAM™ 技术：230层实现128Gb密度

3D NAND 闪存和 DRAM 存储器创新技术的领先开发商NEO Semiconductor今天宣布推出其突破性技术3D X-DRAM™。此次开发是全球首款类3D NAND DRAM单元阵列，旨在解决DRAM的容量瓶颈，取代整个2D DRAM市场。相关专利申请于2023年4月6日与美国专利申请公布一起公布。

NEO Semiconductor 的 3D X-DRAM™ 是首款基于无电容器浮体单元技术的类 3D NAND DRAM 单元阵列结构。它可以使用今天的 3D NAND 类工艺制造，只需要一个掩模来定义位线孔并在孔内形成单元结构。这种电池结构简化了工艺步骤，提供了一种高速、高密度、低成本、高良率的解决方案。根据 Neo 的估计，3D X-DRAM™ 技术可以通过 230 层实现 128 Gb 的密度，这是当今 DRAM 密度的 8 倍。

全行业正在努力将 3D 引入 DRAM。采用 3D X-DRAM™ 仅涉及利用当前成熟的 3D NAND 工艺，这与学术论文提出和内存行业研究的许多将 DRAM 迁移到 3D 的替代方案不同。如果没有 3D X-DRAM™，该行业将面临潜在的等待数十年，应对不可避免的制造中断，并减轻不可接受的产量和成本挑战。3D X-DRAM™ 是满足由 ChatGPT 等下一波人工智能 (AI) 应用推动的对高性能和大容量存储器半导体需求增长的必要解决方案。