编辑：AVA 发布：2023-05-06 11:45
据外媒报导，铠侠和西部数据计划2023年VLSI技术和电路研讨会上，展示3D NAND技术创新。
两家公司的工程师正在寻求实现8-Plane的3D NAND，以及超过300层的3D NAND。来自铠侠的论文(C2-1)，介绍了一种8-Plane的1Tb 3D TLC NAND，拥有210层的堆叠数和3.2GT/s的I/O传速，与铠侠/西部数据推出的218层1Tb 3D TLC NAND非常相似，具备17Gb/mm²密度和3.2GT/s I/O总线，但它是8-Plane而不是4-Plane，并且据说可提供205MB/s的Program Throughput以及40μs的读取延迟，这明显优于铠侠128层3D NAND的56μs延迟。
除了研究8-Plane的3DNAND结构外，研究人员还将提交关于300层3DNAND的论文(T7-1)，Highly Scalable Metal Induced Lateral Crystal lization(MILC) Techniques for Vertical silicon Channel in Ultra-High(300Layers)3D Flash Memory。文中表示，为实现这一目标，两家公司计划采用金属诱导横向结晶(MILC)技术。通过MILC技术，在超过300层的垂直存储孔中，形成14微米长的类通心粉硅通道。据报道，这种实验性3D NAND还利用尖端的吸镍方法消除硅材料中的杂质和缺陷，从而提高单元阵列性能。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
| SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
| 铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
| 美光科技 | 89.130 | USD | -1.10% |
| 西部数据 | 60.723 | USD | +0.80% |
| 南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
| 华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
| 慧荣科技 | 54.695 | USD | +1.47% |
| 联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
| 点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
| 国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
| 希捷科技 | 87.720 | USD | +0.47% |
| 宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
| 创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
| 威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
| 世迈科技 | 19.080 | USD | +3.08% |
| 朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
| 佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
| 德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
| 大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
| 力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
| 长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
| 日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
| 通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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