TEL新款混合氧化物刻蚀设备获三星关注，或用于3D NAND生产

近日，全球第四大半导体设备制造商日本东京电子（TEL）新开发的混合氧化物刻蚀设备成为业界热议的话题。据说，与现有设备相比，蚀刻速度非常快，而且工作后的结果完成度很高，因此设备行业，特别是三星电子，表现出特别的兴趣。

据韩媒报道，业内人士表示，TEL计划近期在三星电子半导体研究所指定的场地安装混合氧化物蚀刻演示设备。TEL 的新型氧化物蚀刻设备与现有设备最大的区别在于它配备了直流 (DC) 脉冲发生器以及传统的射频 (RF) 发生器作为能源。

为了在蚀刻设备腔室中形成等离子体，必须将能量注入气体中以进行电离过程。利用此时产生的离子和自由基进行精细图案蚀刻。 

到目前为止，用于电离的能量生成仅使用射频功率。然而，随着氧化物刻蚀工艺向着对绝缘膜进行细孔深钻的方向发展，出现了功率强度也必须不断增加的情况。在这种情况下，需要解决工艺过程中腔体内火花闪电般飞溅的频繁拉弧现象等各种问题。另一个问题是，当 RF 发生器的输出增加时，设备的尺寸也会增加。

目前，美国Lam Research在三星电子半导体部门的刻蚀设备占有率超过60%。与此同时，Lam Research 一直在朝着减少电弧等现象同时增加射频功率输出的方向开发设备。TEL的新设备是通过使用直流脉冲发生器开发的，该发生器在使用适当的射频功率的同时施加负电压。深挖是用射频，漂亮的整形是用直流脉冲。TEL 是业内第一个开发这种方法的公司。TEL 新开发了一种结构，其中金属与蚀刻气体部分混合，符合使用 RF 和 DC 脉冲作为电源的混合蚀刻设备。 

三星电子最近通过将测试芯片发送到日本 TEL 总部进行了评估。据悉，收到结果报告的现场工程师给与了好评。这是因为蚀刻速度快，图案形状顺利出来。 

专家预测，如果在安装TEL演示机后评估结果良好，三星电子的氧化蚀刻设备份额将发生较大变化。据了解，在三星电子3D NAND闪存生产过程中，沟道孔的钻孔工艺将采用TEL混合氧化物刻蚀设备。

一位业内人士表示，“三星电子的3D NAND闪存目前正在量产V8，而V9正在由半导体研究所进行量产前的工作。”他预测，设备采购将大幅下降。根据三星电子的发展路线图，V10计划于明年量产。据称，Lam Research也意识到了这一情况，目前正在苦苦准备应对措施。 

在韩国企业中，与SK海力士有贸易往来的APTC与TEL一样，也在开发氧化物蚀刻设备。目前，已确认数十项相关专利已经注册或正在申请中。看来明年就会有实实在在的发展成果出来。目前，APTC正在销售切割多晶硅的多晶蚀刻机和切割金属的金属蚀刻机。如果混合式氧化物蚀刻机开发成功并被客户采用，销售额很可能成倍增长。 

据业内人士称，氧化物刻蚀市场占整个刻蚀设备市场的一半以上。