编辑:AVA 发布:2023-05-18 18:19
预计3D DRAM结构的详细开发将在未来两到三年内展开。作为应对微处理限制的下一代 DRAM 工艺,3D DRAM 正在引起人们的关注。目前,美光在相关研究方面最为领先。
据韩媒报道,Tech Insights Fellow Choi Jeong-dong 日前在研讨会上表示,“正在积极研究 3D DRAM 作为现有 DRAM 的替代品。”
3D DRAM是一个类似于3D NAND闪存的概念。通过使 DRAM 堆叠,有望提高性能和空间效率。然而,由于3D DRAM仍处于早期发展阶段,技术概念或具体方向尚未确定。业界预计未来两到三年内将确定电池结构的具体方向。
Choi Jeong-dong表示,“目前,业界正在进行很多关于3D DRAM结构的研究,由于电池结构仍处于早期阶段,实际量产将在2030年后成为可能。”
在业界,对于3D DRAM的开发,必须待JEDEC明确定义,这是因为只有标准组织制定了下一代存储器的标准,材料、零件和设备的研究和开发才有可能。然而,由于微处理限制导致的成本问题在 DRAM 领域也越来越多,预计不需要应用EUV设备的3D DRAM的研究将变得更加活跃。
目前3D DRAM研究最活跃的公司是美光。美光正在积极关注,如果3D DRAM技术有所突破,它可以在没有 EUV 设备的情况下制造出比现有 DRAM 更好的 DRAM。
美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利,估计是其竞争对手的两倍多。Choi Jeong-dong表示,“3D DRAM的开发正在注册各种专利。目前正在研究8层、12层、16层、18层的原型。”
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 89.032 | USD | -1.21% |
西部数据 | 60.200 | USD | -0.07% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 55.000 | USD | +2.04% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.360 | USD | +0.06% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 19.275 | USD | +4.13% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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