编辑：AVA 发布：2023-06-12 11:00
据外媒报道，TEL宣布成功开发出一种创新蚀刻技术，首次将电介质蚀刻应用带到了低温范围，使得刻蚀速率提高，能够在堆叠超过400层的3D NAND器件中生成通道孔。
该创新技术可在短短33分钟内实现10微米深的高纵横比蚀刻，与之前的技术相比，可将全球变暖潜能值降低84%。这项技术实现的潜在创新将刺激创建容量更大的3D NAND闪存。
图1显示了蚀刻后存储通道孔图案的横截面 SEM 图像，以及孔底部的 FIB 切割图像。图 2 是 TEL 的 3D NAND 闪存的示例。
据悉，东京电子团队将在6月11日至 6 月 16 日在京都举行的2023年 VLSI 技术和电路研讨会上提交一份关于其研究成果的报告。
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
| SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
| 铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
| 美光科技 | 89.400 | USD | -0.80% |
| 西部数据 | 61.100 | USD | +1.43% |
| 南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
| 华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
| 慧荣科技 | 55.380 | USD | +2.75% |
| 联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
| 点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
| 国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
| 希捷科技 | 88.290 | USD | +1.12% |
| 宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
| 创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
| 威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
| 世迈科技 | 19.350 | USD | +4.54% |
| 朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
| 佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
| 德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
| 大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
| 力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
| 长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
| 日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
| 通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
