因应AI市场增长，韩国业界人士称SK海力士拟将HBM3产能翻倍

援引自韩国媒体报道，业界人士15日表示，SK海力士开始准备投资后端制程设施，以增加HBM3的出货量。重点是扩建封装HBM3的利川工厂。

据熟悉内情的业内人士表示，“我们正准备围绕后端处理线引入额外的设备，这在HBM3生产中起着重要作用。”到今年年底，后端工艺设施的规模将增加近一倍。

此次扩建的目的是应对AI市场增长带来的HBM需求。HBM与CPU和GPU一起适用于用于AI处理的高性能计算（HPC）和大规模数据中心。由于在大容量数据处理方面的特殊性能，在AI半导体的同时，对HBM存储器的需求也在增加。特别是HBM3是高带宽存储器市场的热门产品，订单正在增加，SK海力士计划以HBM3为中心扩大产量。

由于HBM是一种堆叠现有DRAM的技术，因此需要具备后端处理能力。硅通电极 (TSV) 和 MR-MUF 技术是典型的例子。TSV 在 DRAM 芯片上钻出数千个微小的孔，并通过垂直穿透的电极连接上下芯片。

因半导体市场低迷，SK海力士今年整体设备投资正在减少，但将努力抓住HBM等产品机会。SK海力士在今年第一季度的业绩说明会上也表示：“今年的合并基准投资比去年减少了50%以上。取而代之的是，计划执行主导今年需求增长的DDR5、LPDDR5、HBM3等产品生产的投资，以应对下半年及明年的增长。”

此外，SK海力士还将开始投资第五代 HBM 产品“HBM3E”的设施。据了解，SK海力士最近向其客户提供HBM3E样品。产品采用后，预计需要额外投资进行大规模量产。