ASML与Imec联合开发high NA EUV光刻试验线

纳米电子和数字技术领域领先的研究和创新中心Imec和ASML宣布，将在下一阶段加强合作，在Imec开发最先进的高数值孔径（high NA）极紫外（EUV）光刻试验线。

该试验线旨在帮助使用半导体技术的行业了解先进半导体技术可以带来的机会，并获得支持其创新的原型设计平台。Imec、ASML 和其他合作伙伴之间的合作将有助于探索新颖的半导体应用、为芯片制造商和最终用户开发可持续、领先的制造解决方案的潜力，以及与设备和材料生态系统。

谅解备忘录包括在比利时鲁汶的Imec试验线上安装ASML全套先进光刻和计量设备并提供服务，例如最新型号0.55 NA EUV (TWINSCAN EXE:5200)、最新型号0.33 NA EUV (TWINSCAN NXE:3800)、DUV 浸没式 (TWINSCAN NXT:2100i)、Yieldstar 光学计量和 HMI 多光束。预期的参与对于先进的试验线具有非常重要的价值。

这种突破性的新型高数值孔径技术对于开发高性能节能芯片（例如下一代人工智能系统）至关重要。它还支持创新的深度技术解决方案，可用于解决在医疗保健、营养、移动/汽车、气候变化和可持续能源等方面面临的一些重大挑战。需要大量投资才能确保 2025 年之后全行业获得高数值孔径 EUV 光刻技术，并在欧洲保留相关的先进节点工艺研发能力。

该谅解备忘录启动了ASML和Imec在高数值孔径 EUV 方面下一阶段的深入合作。第一阶段的工艺研究正在 Imec-ASML High-NA 联合实验室中使用第一台 High-NA EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5000) 进行。Imec 和 ASML 与所有领先的芯片制造商以及材料和设备生态系统合作伙伴合作，目标是为大规模制造中最快的采用做好技术准备。在下一阶段，这些活动将在位于比利时鲁汶的imec试验线上的下一代高数值孔径 EUV 扫描仪 (TWINSCAN EXE:5200) 上得到加强。

两家半导体厂商在光刻和计量技术方面加强合作的计划符合欧盟委员会及其成员国（《芯片法案》、IPCEI）的雄心和计划，以加强创新应对社会挑战。因此，Imec和 ASML 之间的部分合作体现在 IPCEI 提案中，该提案目前正在由荷兰政府审查。