编辑:AVA 发布:2023-06-30 15:49
据韩媒报道,随着DRAM的尺寸限制问题的出现,3D DRAM等新一代存储芯片的研究正在积极进行。SK海力士介绍了适合3D DRAM的新一代通道材料IGZO。
SK 海力士的TL Hwayoung Kim近日于演讲中表示:“此前,半导体业界为了克服尺寸限制,将晶体管从平面转换为3D,需要向3D架构转变。”
存储芯片企业开始新一代开发的原因是DRAM的微细化局限性。现有的DRAM开发一直是通过减少电路线宽,提高晶体管集成度的方式进行的。但是,随着电路线宽缩小到10nm以下,面临电容功率暴露等物理限制。
3D DRAM是一种存储半导体,其概念是将DRAM水平放置后垂直堆叠。如果说传统 DRAM 的结构是晶体管集成在一个平面上,那么 3D DRAM 则将晶体管堆叠为 n 层。因此可以分散晶体管。采用这种结构可以扩大晶体管之间的间隙,减少泄漏电流和干扰等。
虽然有这些优点,但开发需要多种努力。因为是与现有DRAM不同的3D形态结构,所以需要全方位的材料、设备开发。SK海力士提出了将IGZO作为3D DRAM的新一代通道材料。IGZO是由铟(In)、镓(Ga)、氧化锌(ZnO)组成的金属氧化物材料。
IGZO大致分为非晶质(a:Amamorphous)-IGZO和晶化(c:Crystallization)。SK海力士正在研究的领域是后者。c-IGZO是一种物理、化学稳定的材料,在半导体工艺过程中可保持均匀的结构。
Hwayoung Kim表示,“IGZO 的最大优势是其低待机功耗,这种特点适合要求长续航时间(停留时间)的DRAM芯晶体管。通过调节In、Ga、ZnO等三个成分的组成比,很容易实现。”
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | +1.31% |
SK海力士 | 169500 | KRW | -0.06% |
铠侠 | 1580 | JPY | 0.00% |
美光科技 | 89.720 | USD | -0.44% |
西部数据 | 61.560 | USD | +2.19% |
南亚科 | 31.95 | TWD | +3.06% |
华邦电子 | 15.70 | TWD | +3.29% |
主控厂商 |
群联电子 | 492.0 | TWD | +2.61% |
慧荣科技 | 56.070 | USD | +4.03% |
联芸科技 | 43.84 | CNY | +0.25% |
点序 | 46.30 | TWD | +2.21% |
国科微 | 71.13 | CNY | -1.89% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.04 | CNY | -2.03% |
希捷科技 | 88.530 | USD | +1.40% |
宜鼎国际 | 219.5 | TWD | +2.33% |
创见资讯 | 90.8 | TWD | +0.55% |
威刚科技 | 79.8 | TWD | +1.01% |
世迈科技 | 19.430 | USD | +4.97% |
朗科科技 | 21.00 | CNY | -4.68% |
佰维存储 | 64.33 | CNY | -2.09% |
德明利 | 88.93 | CNY | -1.63% |
大为股份 | 12.19 | CNY | -2.79% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.20 | TWD | +4.62% |
力成 | 124.5 | TWD | 0.00% |
长电科技 | 38.46 | CNY | -1.46% |
日月光 | 165.5 | TWD | +3.12% |
通富微电 | 29.11 | CNY | -1.09% |
华天科技 | 11.83 | CNY | -0.84% |
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