编辑:Andy 发布:2023-07-03 15:34
近日,西安紫光国芯半导体股份有限公司(以下简称“西安紫光国芯”)在VLSI 2023技术与电路研讨会上(2023 Symposium on VLSI Technology and Circuits)公开发表了技术论文——《基于小间距混合键合和mini-TSV的135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit 嵌入式多层阵列 DRAM》(135 GBps/Gbit 0.66 pJ/bit Stacked Embedded DRAM with Multilayer Arrays by Fine Pitch Hybrid Bonding and Mini-TSV)。该论文的发表,是西安紫光国芯在SeDRAM®方向上持续创新的最新突破。
本年度 VLSI 会议共收到全球投稿 632 篇,在最终录取的212 篇中,仅有2篇来自中国内地企业,其中1篇便是来自西安紫光国芯的嵌入式多层阵列DRAM论文。
论文第一作者西安紫光国芯副总裁王嵩代表公司作论文报告
本次VLSI 2023上,西安紫光国芯发布的新一代多层阵列SeDRAM,相较于上一代单层阵列结构,新一代技术平台主要采用了低温混合键合技术(Hybrid Bonding,HB)和mini-TSV堆积技术。该技术平台每Gbit由2048个数据接口组成,每个接口数据速度达541 Mbps,最终实现业界领先的135 GBps/Gbit带宽和0.66 pJ/bit能效,为叠加更多层DRAM阵列结构提供先进有效的解决方案。
嵌入式多层阵列SeDRAM示意图
论文通讯作者西安紫光国芯总经理江喜平表示,“2020年IEDM我们发布了第一代SeDRAM技术,之后我们实现了多款产品的大规模量产。这次发布的新一代多层阵列SeDRAM技术,实现了更小的电容电阻、更大的带宽和容量,可广泛应用于近存计算、大数据处理和高性能计算等领域。”
西安紫光国芯异质集成嵌入式DRAM(SeDRAM)基于混合键合技术实现了逻辑单元和DRAM阵列三维集成,多项研发成果已先后在IEDM 2020、CICC 2021、ISSCC 2022等多个期刊和会议上公开发表和作专题报告。
存储原厂 |
三星电子 | 54200 | KRW | +1.31% |
SK海力士 | 169600 | KRW | 0.00% |
铠侠 | 1585 | JPY | +0.32% |
美光科技 | 89.720 | USD | -0.44% |
西部数据 | 61.560 | USD | +2.19% |
南亚科 | 32.05 | TWD | +3.39% |
华邦电子 | 15.75 | TWD | +3.62% |
主控厂商 |
群联电子 | 490.0 | TWD | +2.19% |
慧荣科技 | 56.070 | USD | +4.03% |
联芸科技 | 43.94 | CNY | +0.48% |
点序 | 46.40 | TWD | +2.43% |
国科微 | 71.47 | CNY | -1.42% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.20 | CNY | -1.86% |
希捷科技 | 88.530 | USD | +1.40% |
宜鼎国际 | 219.5 | TWD | +2.33% |
创见资讯 | 90.8 | TWD | +0.55% |
威刚科技 | 79.7 | TWD | +0.89% |
世迈科技 | 19.430 | USD | +4.97% |
朗科科技 | 21.07 | CNY | -4.36% |
佰维存储 | 64.18 | CNY | -2.31% |
德明利 | 88.94 | CNY | -1.62% |
大为股份 | 12.26 | CNY | -2.23% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.20 | TWD | +4.62% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 38.55 | CNY | -1.23% |
日月光 | 165.0 | TWD | +2.80% |
通富微电 | 29.20 | CNY | -0.78% |
华天科技 | 11.83 | CNY | -0.84% |
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