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韩媒称三星和SK海力士明年将增加半导体投资及存储芯片产能

编辑:AVA 发布:2023-12-18 17:25

据韩媒报道,三星和SK海力士明年将在今年的基础上增加半导体设备投资,其中,三星电子计划投资约27万亿韩元(约合208亿美元),SK海力士计划投资约5.3万亿韩元(约合40.8亿美元)。与今年相比,分别增长了25%和100%。三星电子明年将继续增长,SK海力士则选择恢复到2022年的水平。

三星电子和SK海力士还将增加新的一年半导体的出货量。据了解,三星电子计划将DRAM和NAND的产量分别比今年扩大到24%左右。具体来说,以月投入晶圆为准,DRAM为16至15纳米级(D1z)25万张,14纳米级(D1a)18万张,13至12纳米级(D1b)23万张。SK海力士计划以HBM等最高端DRAM为中心扩大产量,计划将 DRAM 产量提高到减产前的水平,即去年年底前的水平。

三星电子和SK海力士从去年年末开始正式减产。工厂开工率仅50%,减产幅度很大。两家公司明年DRAM产量与减产前持平或超过,NAND预计不及减产前的水平。据悉,NAND市场恢复缓慢。

两家公司增加设备投资和产量的原因是为改善行业状况做好准备。尽管全球经济的不确定性依然存在,但有多种解读认为今年已经触底。

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股市快讯 更新于: 12-25 13:33,数据存在延时

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