权威的存储市场资讯平台English

韩企自研钛蚀刻剂已获HBM3E产线采用,计划扩大供应至高堆叠芯片

编辑:AVA 发布:2024-05-29 17:01

韩国半导体公司不仅在高带宽存储器(HBM)制造技术方面取得进步,而且在关键工艺材料的国产化方面也取得了进步。

据韩媒报道,业界消息称,韩国国内半导体材料公司ENF Technology利用自有技术开发出钛蚀刻剂(Ti etchant),并已开始向全球最大的HBM制造商供应。

钛蚀刻剂用于生产硅通孔 (TSV),这是数据在 HBM 内传输的通道。它从晶圆上去除不必要的钛。

到目前为止,钛蚀刻剂主要由某领先的日本材料公司和某韩国公司的合资企业提供。随着ENF这项技术的成功开发,韩国国内生产和材料多元化的道路已经打开。ENF已开始向第五代HBM(HBM3E)生产线供应其最新产品,并计划扩大供应至高堆叠芯片。

除了ENF之外,关键HBM材料的国内生产也正在积极发展。 Soulbrain 提供独特的特殊浆料,可在 HBM 工艺过程中去除不必要的铜层。

Duksan Hi-Metal 为存储器公司提供用于凸块制造的焊球,这些焊球在 HBM 内的数据传输中发挥着桥梁作用。存储器公司积极支持 Duksan Hi-Metal 的技术开发,以对抗世界第一焊球制造商 Senju Metal 的主导地位。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 12-24 09:18,数据存在延时

存储原厂
三星电子53800KRW+0.56%
SK海力士169800KRW+0.12%
铠侠1596JPY+1.01%
美光科技89.720USD-0.44%
西部数据61.560USD+2.19%
南亚科31.95TWD+3.06%
华邦电子15.85TWD+4.28%
主控厂商
群联电子481.5TWD+0.42%
慧荣科技56.070USD+4.03%
联芸科技43.73CNY+2.05%
点序45.95TWD+1.43%
国科微72.50CNY-1.53%
品牌/模组
江波龙93.95CNY-1.38%
希捷科技88.530USD+1.40%
宜鼎国际216.5TWD+0.93%
创见资讯91.7TWD+1.55%
威刚科技79.8TWD+1.01%
世迈科技19.430USD+4.97%
朗科科技22.03CNY-3.50%
佰维存储65.70CNY-2.87%
德明利90.40CNY-2.16%
大为股份12.54CNY-4.13%
封测厂商
华泰电子36.70TWD+6.07%
力成125.0TWD+0.40%
长电科技39.03CNY-2.38%
日月光164.0TWD+2.18%
通富微电29.43CNY-2.49%
华天科技11.93CNY-2.21%