权威的存储市场资讯平台English

消息称铠侠第10代NAND起采用低温蚀刻技术

编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43

据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。

报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。

目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

股市快讯 更新于: 12-24 09:42,数据存在延时

存储原厂
三星电子53800KRW+0.56%
SK海力士168900KRW-0.41%
铠侠1573JPY-0.44%
美光科技89.720USD-0.44%
西部数据61.560USD+2.19%
南亚科32.45TWD+4.68%
华邦电子15.85TWD+4.28%
主控厂商
群联电子490.5TWD+2.29%
慧荣科技56.070USD+4.03%
联芸科技45.18CNY+3.32%
点序45.80TWD+1.10%
国科微72.23CNY-0.37%
品牌/模组
江波龙92.70CNY-1.33%
希捷科技88.530USD+1.40%
宜鼎国际218.0TWD+1.63%
创见资讯90.6TWD+0.33%
威刚科技79.9TWD+1.14%
世迈科技19.430USD+4.97%
朗科科技21.95CNY-0.36%
佰维存储65.77CNY+0.11%
德明利91.38CNY+1.08%
大为股份12.68CNY+1.12%
封测厂商
华泰电子36.45TWD+5.35%
力成125.0TWD+0.40%
长电科技39.02CNY-0.03%
日月光165.0TWD+2.80%
通富微电29.33CNY-0.34%
华天科技11.93CNY0.00%