编辑:AVA 发布:2024-06-04 14:43
据日媒报道,铠侠将在2026年量产第10代NAND,并将采用低温蚀刻的新技术,可在比以往更低温的环境中进行蚀刻。
报道称,这种方式可以让存储器的存储单元从上层到下层之间贯穿的许多存储通孔(memoryhole),以更快的时间形成,因此能提高单位时间的生产量。
目前,Lam Research 3D NAND蚀刻设备几乎独占整个市场。若以金额计算,蚀刻设备在制程中所占比例最高。而东京电子在2023年成功研发了-40℃低温蚀刻技术,可在NAND制程中形成400层以上的存储通孔,有望从Lam Research手中分得一杯羹。
存储原厂 |
三星电子 | 53800 | KRW | +0.56% |
SK海力士 | 168900 | KRW | -0.41% |
铠侠 | 1573 | JPY | -0.44% |
美光科技 | 89.720 | USD | -0.44% |
西部数据 | 61.560 | USD | +2.19% |
南亚科 | 32.45 | TWD | +4.68% |
华邦电子 | 15.85 | TWD | +4.28% |
主控厂商 |
群联电子 | 490.5 | TWD | +2.29% |
慧荣科技 | 56.070 | USD | +4.03% |
联芸科技 | 45.18 | CNY | +3.32% |
点序 | 45.80 | TWD | +1.10% |
国科微 | 72.23 | CNY | -0.37% |
品牌/模组 |
江波龙 | 92.70 | CNY | -1.33% |
希捷科技 | 88.530 | USD | +1.40% |
宜鼎国际 | 218.0 | TWD | +1.63% |
创见资讯 | 90.6 | TWD | +0.33% |
威刚科技 | 79.9 | TWD | +1.14% |
世迈科技 | 19.430 | USD | +4.97% |
朗科科技 | 21.95 | CNY | -0.36% |
佰维存储 | 65.77 | CNY | +0.11% |
德明利 | 91.38 | CNY | +1.08% |
大为股份 | 12.68 | CNY | +1.12% |
封测厂商 |
华泰电子 | 36.45 | TWD | +5.35% |
力成 | 125.0 | TWD | +0.40% |
长电科技 | 39.02 | CNY | -0.03% |
日月光 | 165.0 | TWD | +2.80% |
通富微电 | 29.33 | CNY | -0.34% |
华天科技 | 11.93 | CNY | 0.00% |
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