权威的存储市场资讯平台English

全球半导体晶圆厂产能预计在2024年增长6%,2025年增长7%

编辑: 发布:2024-06-19 09:49

全球半导体产业正面临需求的不断增长,SEMI在其最新报告中宣布,2024年和2025年全球半导体制造业的产能预计将分别增长6%和7%,创下新的产能记录。这一增长主要由人工智能(AI)在数据中心训练、推理以及先进设备中的应用所驱动,预计5纳米及以下先进制程产能在2024年将增长13%。

随着Intel、三星和台积电等芯片制造商准备开始生产2纳米全环绕栅极(GAA)芯片,预计2025年全球先进制程产能将增长17%。SEMI总裁兼首席执行官Ajit Manocha表示,AI处理的普及正在推动高性能芯片的发展,并带动全球半导体制造产能的强劲扩张。

在区域产能扩张方面,中国芯片制造商预计将保持两位数的产能增长,2024年达到885万片晶圆/月,2025年预计增长至1010万片晶圆/月,接近行业总产能的三分之一。尽管存在产能过剩的风险,该地区仍在积极投资扩大产能,部分原因是为了减轻最近出口管制的影响。华虹集团、Nexchip、Sien集成和中芯国际以及DRAM制造商CXMT等主要代工供应商正在大力投资,以增长该地区的半导体制造产能。

在其他主要芯片制造地区,预计2025年的产能增长不会超过5%。台湾预计将在2025年以580万片晶圆/月的产能排名第二,增长率为4%,而韩国预计将在2024年首次超过500万片晶圆/月的产能,并在2025年以7%的增长率达到540万片晶圆/月的产能,排名第三。

按部门划分的产能扩张中,主要由Intel建立其代工业务和中国产能扩张推动,预计2024年和2025年代工部门产能将分别增长11%和10%,到2026年达到1270万片晶圆/月。高速AI服务器对更快处理器的需求推动了高带宽存储器(HBM)的快速采用,这也为存储器领域的产能增长提供了动力。随着AI的爆炸性采用,对更密集的HBM堆叠的需求不断增加,每个堆叠现在集成了8到12个芯片。因此,领先的DRAM制造商正在增加对HBM/DRAM的投资。预计2024年和2025年,DRAM产能将分别增长9%。相比之下,3D NAND市场的复苏仍然缓慢,预计2024年产能没有增长,2025年预计将增长5%。

随着AI应用在边缘设备中的增加,预计主流智能手机的DRAM容量将从8GB增加到12GB,而使用AI助手的笔记本电脑将至少需要16GB的DRAM。AI向边缘设备的扩展也将刺激对DRAM的需求。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 12-25 13:12,数据存在延时

存储原厂
三星电子54400KRW+1.68%
SK海力士168500KRW-0.65%
铠侠1618JPY+4.12%
美光科技89.280USD-0.49%
西部数据61.700USD+0.23%
南亚科31.25TWD-2.04%
华邦电子15.60TWD0.00%
主控厂商
群联电子490.0TWD+0.51%
慧荣科技56.485USD+0.74%
联芸科技47.00CNY+0.23%
点序46.45TWD+0.98%
国科微70.65CNY-2.32%
品牌/模组
江波龙94.35CNY-2.23%
希捷科技88.490USD-0.05%
宜鼎国际220.0TWD+0.92%
创见资讯88.0TWD-0.45%
威刚科技79.9TWD+0.38%
世迈科技19.470USD+0.21%
朗科科技22.52CNY0.00%
佰维存储70.23CNY+0.73%
德明利89.32CNY-1.52%
大为股份11.92CNY-3.95%
封测厂商
华泰电子36.20TWD+0.56%
力成125.5TWD+0.40%
长电科技39.05CNY-0.48%
日月光166.5TWD+1.22%
通富微电29.46CNY-1.37%
华天科技12.10CNY+0.08%