编辑：AVA 发布：2024-06-24 10:57
SK海力士近日在“VLSI 2024”上发表了有关3D DRAM的研究论文。
据韩媒报道，SK海力士报告称，其5层堆叠的3D DRAM的制造良率已达56.1%。这意味着在单个测试晶圆上制造的约 1,000个3D DRAM中，约有561个可行器件被生产出来。实验性的3D DRAM显示出与目前使用的2D DRAM相似的特性，这是SK海力士首次披露其 3D DRAM开发的具体数字和特性。
但SK海力士也表示，虽然3D DRAM潜力巨大，但在实现商业化之前还需要进行大量的开发过程。SK海力士指出，与2D DRAM的稳定运行不同，3D DRAM表现出不稳定的性能特征，需要堆叠32-192层存储单元才能实现普遍使用。
3D DRAM也是三星电子、美光等存储原厂的重点开发领域。三星电子已成功将3D DRAM堆叠到16层，并计划在2030年左右量产3D DRAM；美光目前拥有30项与3D DRAM相关的专利，如果3D DRAM技术有所突破，它可以在没有EUV设备的情况下制造出比现有DRAM更好的DRAM产品。 、
| 存储原厂 |
| 三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
| SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
| 铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
| 美光科技 | 89.725 | USD | -0.44% |
| 西部数据 | 61.250 | USD | +1.68% |
| 南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
| 华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
| 主控厂商 |
| 群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
| 慧荣科技 | 55.680 | USD | +3.30% |
| 联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
| 点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
| 国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
| 品牌/模组 |
| 江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
| 希捷科技 | 88.530 | USD | +1.40% |
| 宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
| 创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
| 威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
| 世迈科技 | 19.355 | USD | +4.57% |
| 朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
| 佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
| 德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
| 大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
| 封测厂商 |
| 华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
| 力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
| 长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
| 日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
| 通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
| 华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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