编辑:Andy 发布:2024-07-17 12:00
据韩媒报道,三星电子副总裁柳昌植(DRAM先进开发团队负责人)近日表示,三星电子下一代DRAM路线图进展良好,1b DRAM正在顺利量产,4F Square也正在顺利开发,三星将在内存领域保持超级差距。
其中,4F Square DRAM 是下一代DRAM,其存储单元(存储数据的最小单位)结构垂直而不是水平排列。平方是衡量向单元中的晶体管施加电压的组件面积有多大的指标。
目前商业化的DRAM具有6F Square结构。由于DRAM的密度和性能随着单元面积的减小而提高,因此各大原厂都集中精力开发技术以推进到4F Square。三星预计明年将开发出 4F Square DRAM 的初始样品。
此外,三星电子正专注于开发尖端的DRAM解决方案,包括量产1b(第五代10纳米级DRAM)DRAM以及验证具有业界最高运行速度的LPDDR5X。
三星电子已于今年第一季度完成了1b DRAM的内部质量测试,目前正在为全面量产做准备。三星计划在今年年底前将1b DRAM的产能扩大至每月10万片。
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 88.920 | USD | -1.33% |
西部数据 | 60.710 | USD | +0.78% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 54.780 | USD | +1.63% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.640 | USD | +0.38% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 19.040 | USD | +2.86% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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