权威的存储市场资讯平台English

消息称SK海力士拟明年底量产400层NAND Flash

编辑:Andy 发布:2024-08-01 10:45

据韩媒etnews报道,业内人士透露,SK海力士已开始研发400层NAND Flash,目前正在开发工艺技术和设备,其目标是明年年底可以实现大规模生产,预计2026年上半年实现全面量产。

据了解,SK海力士正计划使用“混合键合”来实现400级NAND。具体来说,即采用“晶圆到晶圆(W2W)”技术,该技术涉及将两个晶圆直接键合在一起。

到目前为止,SK海力士一直在同一块晶圆上实现存储NAND闪存数据的“单元(cell)”区域和驱动这些单元的电路区域“外围电路(periphery, 或称peri)”。通过采用混合键合技术,可能在提高存储密度和生产效率方面迈出重要的一步,这有助于在竞争激烈的半导体市场中保持领先地位。

将存储单元(cell)堆叠在外围电路(periphery)之上的结构被称为“Peri-Under-Cell (PUC)”。这就像高层复合公寓,其中底层是商铺(periphery),上面是住宅区(cell)。

三星电子也采用了类似的结构来实现其NAND Flash,称为“Cell-On-Peri (COP)”。根据存储单元是一次性堆叠还是分两次堆叠,分为“单堆叠(single-stack)”和“双堆叠(double-stack)”。

然而,随着NAND单元数量的增加,将periphery放置在cell下方面临着限制。这是因为cell在堆叠过程中无法承受高温和高压导致被损坏。

克服这一问题的技术是混合键合。这是一种通过在不同晶圆上实现cell和periphery,然后重新连接两个晶圆来生产NAND的方法。在这种情况下,cell可以堆叠超过400层,并且可以单独制造驱动单元的晶圆,从而稳定地增加NAND层数。鉴于这些优势,SK海力士决定引入W2W方法来制造400层或更多层的NAND。

对该NAND闪存产品的生产,SK海力士表示,“公司对技术研发或量产时期的具体计划无法评论。”

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

股市快讯 更新于: 12-23 23:54,数据存在延时

存储原厂
三星电子53500KRW+0.94%
SK海力士169600KRW+0.65%
铠侠1580JPY-7.33%
美光科技88.800USD-1.46%
西部数据60.405USD+0.27%
南亚科31.00TWD+1.97%
华邦电子15.20TWD+1.33%
主控厂商
群联电子479.5TWD+3.34%
慧荣科技54.890USD+1.84%
联芸科技43.73CNY+2.05%
点序45.30TWD+0.67%
国科微72.50CNY-1.53%
品牌/模组
江波龙93.95CNY-1.38%
希捷科技87.620USD+0.36%
宜鼎国际214.5TWD+1.90%
创见资讯90.3TWD+1.46%
威刚科技79.0TWD+0.13%
世迈科技19.250USD+4.00%
朗科科技22.03CNY-3.50%
佰维存储65.70CNY-2.87%
德明利90.40CNY-2.16%
大为股份12.54CNY-4.13%
封测厂商
华泰电子34.60TWD+1.76%
力成124.5TWD+2.47%
长电科技39.03CNY-2.38%
日月光160.5TWD+1.90%
通富微电29.43CNY-2.49%
华天科技11.93CNY-2.21%