权威的存储市场资讯平台English

三星电子HBM4年底流片,采用1c DRAM

编辑:Andy 发布:2024-08-16 18:22

据韩媒报道,已证实三星电子将于今年年底开始HBM4的流片工作,为明年年底HBM4 12层产品量产打基础。

HBM4测试产品预计最早明年发布,从流片到最终测试产品出来需耗时3-4个月时间,三星将在验证最初生产的HBM4产品的运行情况后,继续进行设计和工艺改进,然后再对主要客户进行产品送样。

从HBM4开始,三星电子计划使用其4纳米代工工艺量产逻辑芯片,SK海力士则使用台积电的5纳米和12纳米工艺;内存核心芯片方面,三星将采用10纳米第6代(1c)DRAM,SK海力士正在1b DRAM和1c DRAM之间权衡。

由于三星电子计划在HBM4核心芯片中使用1c DRAM,预计相关投资也将随之展开,近期有消息称,三星电子正准备向平泽P4工厂引进DRAM处理设备,线路建设已全面启动,目标是明年6月投入运营,生产第六代1c制程 DRAM。

推荐:电脑用的少,手机扫一扫,资讯快一步!

扫码关注我们

本文标签:

股市快讯 更新于: 12-23 19:45,数据存在延时

存储原厂
三星电子53500KRW+0.94%
SK海力士169600KRW+0.65%
铠侠1580JPY-7.33%
美光科技90.120USD+3.48%
西部数据60.240USD+1.04%
南亚科31.00TWD+1.97%
华邦电子15.20TWD+1.33%
主控厂商
群联电子479.5TWD+3.34%
慧荣科技53.900USD+1.26%
联芸科技43.73CNY+2.05%
点序45.30TWD+0.67%
国科微72.50CNY-1.53%
品牌/模组
江波龙93.95CNY-1.38%
希捷科技87.310USD-0.26%
宜鼎国际214.5TWD+1.90%
创见资讯90.3TWD+1.46%
威刚科技79.0TWD+0.13%
世迈科技18.510USD+0.82%
朗科科技22.03CNY-3.50%
佰维存储65.70CNY-2.87%
德明利90.40CNY-2.16%
大为股份12.54CNY-4.13%
封测厂商
华泰电子34.60TWD+1.76%
力成124.5TWD+2.47%
长电科技39.03CNY-2.38%
日月光160.5TWD+1.90%
通富微电29.43CNY-2.49%
华天科技11.93CNY-2.21%