HBM用在手机上？消息称三星电子和SK海力士移动HBM最早2026年实现商业化

据韩媒报道，业界人士消息称，三星电子和SK海力士正在开发低功耗DRAM堆叠技术，以实现移动设备上的AI，目标是在2026年左右实现商业化。

这种存储器被称为“移动HBM”，其特点是像目前服务器中使用的HBM一样堆叠DRAM。其概念是通过堆叠和连接LPDDR DRAM来增加内存带宽，并具有高功效（即低功耗）的优势。它与HBM类似，通过将常规 DRAM 堆叠 8 层或 12 层来提高数据吞吐量。

HBM 是在 DRAM 中钻微孔，并用电极连接上下层。移动HBM具有相同的堆叠概念，但正在推广一种将其堆叠在楼梯中，然后用垂直电线将其连接到基板的方法。具体来说，三星电子正在开发名为“VCS”的技术，SK海力士正在开发名为“VFO”的技术。两种技术都专注于通过增加输入和输出端子来增加带宽。

据业内人士透露，“正在开发的下一代 DRAM将为移动设备提供与HBM（高带宽存储器）类似的功能。随着AI加速器的普及，HBM市场迅速增长，我们正寻求将其扩展应用到智能手机、平板电脑和笔记本电脑等领域。”

尽管尚未确定如何将负责AI运算的处理器与系统其他部分连接，但目前正在讨论几种可能的方案。其中一种方案是像HBM（高带宽存储器）那样，将AI处理器放置在图形处理单元（GPU）旁边。另一种方案是在AI芯片上堆叠存储器。

业界对移动HBM（高带宽存储器）的兴趣日益增加，这是因为智能手机现在正发展成为新的AI设备。移动HBM很可能会被定制化供应给智能手机制造商或智能手机用AP开发商。这意味着，与过去大规模生产特定规格产品的供应商中心模式不同，现在正转向以需求者为中心的模式。这与此前SK海力士为苹果头戴设备“Vision Pro”供应定制化低功耗DRAM的情况类似。

据CFM闪存市场数据，预计HBM Bit供应今年达110亿Gb，约占DRAM Bit比重为4.8%；全年市场规模达150亿美元，约占DRAM市场的20%。随着移动HBM的技术发展，预计未来HBM的市场规模将进一步扩大，移动DRAM供需市场格局也将发生巨变。