编辑:Holly 发布:2024-09-05 11:47
据韩媒报道,三星电子MX部门在8月向DS部门表达了对即将用于Galaxy S25系列手机的1b nm(12nm级)LPDDR内存样品供应延误的担忧。三星电子自2023年5月启动1b nm工艺16Gb DDR5内存量产,并在同年9月发布1b nm 32Gb DDR5,一直在内部推进1b nm LPDDR移动内存产品的开发。
然而,据韩媒此前在今年6月11日的报道,三星电子的1b nm DRAM内存产品良率不足五成。最新的报道指出,DS部门本应在8月之前向MX部门供应一定规模的12Gb、16Gb容量1b nm LPDDR内存样品,用于Galaxy S25系列手机开发。但DS部门未能按时提供足够数量的样品。
知情人士透露,三星电子的1b nm LPDDR良率不及预期,影响了企业内部的供货时间表。MX部门已就此提出抗议,并正在重新审视Galaxy S25系列手机的DRAM供应计划。根据DRAM产业的一般规律,内存良率至少需要达到80%才能实现稳定且经济的大规模生产与供应。目前看来,三星电子的1b nm LPDDR内存良率远低于这一目标,即使在企业内部供应中也存在不足问题。
这一良率问题可能会对三星电子即将推出的Galaxy S25系列手机的开发进度造成影响,MX部门和DS部门需要尽快解决这一问题,以确保新手机能够如期上市。三星电子作为全球领先的内存制造商,其产品的良率问题也引起了业界的广泛关注,市场将密切关注三星电子如何解决这一挑战。
存储原厂 |
三星电子 | 53600 | KRW | +1.13% |
SK海力士 | 170200 | KRW | +1.01% |
铠侠 | 1596 | JPY | -6.39% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.95 | CNY | +2.57% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.51 | CNY | -1.52% |
品牌/模组 |
江波龙 | 94.40 | CNY | -0.90% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.10 | CNY | -3.20% |
佰维存储 | 66.70 | CNY | -1.39% |
德明利 | 91.00 | CNY | -1.52% |
大为股份 | 12.58 | CNY | -3.82% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.10 | CNY | -2.20% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.46 | CNY | -2.39% |
华天科技 | 11.96 | CNY | -1.97% |
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