编辑:Andy 发布:2024-09-13 14:26
据韩国业内人士近日透露,三星电子计划在今年年底前制定对其平泽P2工厂DRAM生产线进行尖端DRAM转换的投资计划。
三星电子平泽P2工厂自2020年下半年以来开始运营,其中DRAM产线主要生产1z DRAM(第三代10纳米级DRAM),目前其产量已大幅减少。因此,三星电子开始准备将P2 1z DRAM转换为1b或更尖端DRAM的生产基地。
其中,1b DRAM 是最新一代商用 DRAM,三星电子已完成了1b DRAM的内部质量测试,并已开始建设量产1b DRAM的设施。考虑到除了P2、P3以及华城15和16线之外,三星还在对1b DRAM进行改造投资,预计到明年初三星电子1b DRAM产能将达每月10万片。
此外,三星电子还计划投资“下一代 DRAM”。消息称,P2工厂将部分1z DRAM转换为1b DRAM制程,剩余部分则转换为1c(第6代)或1d(第7代)DRAM。据业界人士透露,P2转换投资的生产线配置设计预计将在今年第四季度完成,相关设施的订单将于明年下达。
三星电子正在考虑的P2工厂设备投资转换计划可能会根据最先进DRAM的开发情况而有所变化。此前,三星电子已经制定了年内量产1c DRAM的计划,并准备在下半年建设第一条生产线。
相对于三星电子1c DRAM的开发进度仍存在不确定性,SK海力士已于今年8月底宣布成功开发采用1c工艺的16Gb DDR5 DRAM,并将在年内完成1c DDR5 DRAM的量产准备,从明年开始供应产品。
据悉,SK海力士在部分EUV工艺中开发并适用了新材料,并在整个工艺中针对EUV适用工艺进行了优化,由此确保了成本竞争力。SK海力士在1c工艺上还进行了设计技术革新,与前一代1b工艺相比,其生产率提高了30%以上。
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 170200 | KRW | +1.01% |
铠侠 | 1604 | JPY | -5.92% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.70 | CNY | +1.98% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.08 | CNY | -2.11% |
品牌/模组 |
江波龙 | 94.20 | CNY | -1.11% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 21.93 | CNY | -3.94% |
佰维存储 | 66.09 | CNY | -2.29% |
德明利 | 90.79 | CNY | -1.74% |
大为股份 | 12.51 | CNY | -4.36% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 38.89 | CNY | -2.73% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.30 | CNY | -2.92% |
华天科技 | 11.91 | CNY | -2.38% |
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