编辑:Andy 发布:2024-09-25 14:51
今年以来,随着存储原厂NAND制程相继迭代,200层以上NAND的供应增加,高密度NAND在市场应用中逐步取得进展:
· 三星236层V8 TLC NAND产能放量增长,同时290层V9 TLC/QLC NAND开始量产;
· SK海力士扩大238层NAND在企业级SSD的应用,并推出321层NAND Flash;
· 铠侠及西部数据推动218层BiSC8 NAND加速在OEM厂商的导入,采用BiSC8和CMOS键合技术生产的2Tb QLC NAND已开始送样;
· 美光量产276层G9 TLC NAND,并已在面向客户端OEM的SSD中采用。
来源:CFM闪存市场
其中,三星第八代V-NAND于2022年11月开始量产,为存储密度达1Tb的TLC 3D NAND闪存芯片,层数达到236层,其输入和输出(I/O)速度高达2.4 Gbps(千兆比特每秒),相比上一代提升了1.2倍,这可以满足PCIe 4.0和更高版本PCIe 5.0的性能要求。目前,三星的V8在存储卡、车载、PC领域均已陆续部署,手机终端目前V8在加速导入认证;服务器领域因其认证耗时更长,大规模应用仍需时日。具体来看:
PC领域:9月19日,三星电子宣布已开始批量生产PCIe 5.0 NVMe SSD:PM9E1,采用自研5nm 控制器和第八代V-NAND,可提供强大的性能和增强的能效,使其成为AI PC的最佳解决方案;2023年9月6日,三星推出990 PRO系列4TB PCIe 4.0 SSD,同样采用第8代V-NAND技术和三星自研主控;
车载领域:9月24日,三星电子宣布成功开发其首款基于第八代V-NAND技术的PCIe 4.0车载SSD,与前代产品AM991相比,能效提高约50%;
存储卡领域:7月31日,三星电子推出1TB大容量microSD存储卡PRO Plus和EVO Plus,均采用三星第八代 V-NAND,升级28nm制程。
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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