编辑:Andy 发布:2024-11-27 11:46
据韩媒报道,三星电子设备解决方案(DS)部门首席技术官Song Jae-hyuk近日对一直处于低迷状态的公司股价表示信心,称“只需一年即可恢复”。他还强调,下一代 DRAM 和 NAND 闪存技术的开发正在按照今年制定的时间表顺利进行。
Song Jae-hyuk表示,下一代产品 10 纳米以下DRAM 所需的基础技术正在顺利开发中。随着DRAM电路的线宽低于10nm,现有结构面临小型化限制,需要新结构(VCT)和基础技术来实现它们。特别是在小于10nm范围内,显著特征是存储数据的单元是垂直堆叠的。三星电子目前正在积极发展的“低温结”和“键合”技术是新结构所需的代表性技术。这两种技术都正在按照今年制定的时间表进行开发。
对于下一代NAND闪存技术,Song Jae-hyuk也充满信心,下一代NAND产品V10的开发将满足目标性能和进度。在NAND领域,技术竞争的关键是垂直堆叠单元以提高有限面积内的容量密度。
存储原厂 |
三星电子 | 53900 | KRW | +1.70% |
SK海力士 | 172600 | KRW | +2.43% |
铠侠 | 1655 | JPY | -2.94% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.60 | TWD | +3.95% |
华邦电子 | 15.45 | TWD | +3.00% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.0 | TWD | +3.02% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.05 | CNY | +0.47% |
点序 | 46.15 | TWD | +2.56% |
国科微 | 74.00 | CNY | +0.50% |
品牌/模组 |
江波龙 | 94.14 | CNY | -1.18% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 213.0 | TWD | +1.19% |
创见资讯 | 90.7 | TWD | +1.91% |
威刚科技 | 79.3 | TWD | +0.51% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.55 | CNY | -1.23% |
佰维存储 | 67.57 | CNY | -0.10% |
德明利 | 93.89 | CNY | +1.61% |
大为股份 | 12.88 | CNY | -1.53% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 123.0 | TWD | +1.23% |
长电科技 | 39.85 | CNY | -0.33% |
日月光 | 161.0 | TWD | +2.22% |
通富微电 | 30.01 | CNY | -0.56% |
华天科技 | 12.20 | CNY | 0.00% |
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