编辑:Andy 发布:2024-11-28 15:04
据韩媒报道,业界消息称,三星电子正在寻求将 FinFET 技术用于大规模生产10nm以下的DRAM,此举主要为了提高DRAM外围设备和核心芯片的性能。
未来DRAM的结构将转变为分别生产外围/核心芯片和存储单元芯片,然后将它们堆叠起来。FinFET技术仅应用于生产单元驱动电路区域的外围和核心芯片,DRAM存储单元使用垂直沟道晶体管 (VCT) 或埋入沟道阵列晶体管 (BCAT)。
FinFET是一种主要用于逻辑芯片生产的晶体管结构。与平面型相比,栅极和沟道之间的接触面积更大,具有提高半导体性能和减少漏电流的优点。该技术用于三星电子的14nm及以下代工工艺。
随着DRAM外围和核心的结构改为FinFET,预计芯片性能和功率效率将得得以提高。用于现有DRAM量产的BCAT具有针对DRAM优化的结构,但在逻辑芯片的量产中存在局限性。此外,随着外围核心和存储单元的分离,预计DRAM集成度可以提高。目前LPDDR5X等产品的存储单元阵列效率在50%左右。
除三星电子外,SK海力士似乎也准备推出FinFET工艺。SK海力士于今年7月发布了FinFET工艺相关经验工人的招聘启事,招聘包括FinFET器件开发、曝光、蚀刻、沉积和清洗等工艺相关的经验丰富的工人。
目前FinFET结构应用于外围和核心芯片的具体时间尚未确定,业界预测FinFET技术最早将在2027年应用于DRAM量产。
存储原厂 |
三星电子 | 53800 | KRW | +1.51% |
SK海力士 | 172300 | KRW | +2.26% |
铠侠 | 1650 | JPY | -3.23% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.70 | TWD | +4.28% |
华邦电子 | 15.40 | TWD | +2.67% |
主控厂商 |
群联电子 | 477.5 | TWD | +2.91% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.10 | CNY | +0.58% |
点序 | 46.15 | TWD | +2.56% |
国科微 | 73.71 | CNY | +0.11% |
品牌/模组 |
江波龙 | 95.26 | CNY | 0.00% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 213.0 | TWD | +1.19% |
创见资讯 | 91.2 | TWD | +2.47% |
威刚科技 | 79.5 | TWD | +0.76% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.95 | CNY | +0.53% |
佰维存储 | 67.00 | CNY | -0.95% |
德明利 | 92.00 | CNY | -0.43% |
大为股份 | 12.90 | CNY | -1.38% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 123.0 | TWD | +1.23% |
长电科技 | 40.00 | CNY | +0.05% |
日月光 | 161.0 | TWD | +2.22% |
通富微电 | 30.00 | CNY | -0.60% |
华天科技 | 12.22 | CNY | +0.16% |
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