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三星电子宣布三款电源管理芯片，分别为：S2FPD01，S2FPD02，S2FPC01，能够最大限度提高DDR5模块性能，并最大程度降低功耗。
三星宣布已经在平泽新建新的产线，将于2022年下半年完工，将采用EUV设备，批量生产14nm DRAM和5nm逻辑芯片产品。
三星电子宣布业内首款支持Compute Express Link（CXL）互连标准的存储模块，该模块与三星的DDR5技术集成，使得服务器系统能够显著扩展内存容量和带宽，加速数据中心的人工智能（AI）和高性能计算（HPC）工作负载。
三星电子宣布，其下一代2.5D封装技术Interposer-Cube4（I-Cube4）即将上市，包含4个HBM和一个逻辑芯片，三星还将尽快研发出搭载6个、8个HBM的新技术，推向市场。
三星发布支持SAS-4标准的企业SSD--「 PM1653」，是业界首款支援24Gb SAS界面或SAS-4 规格的企业级SSD，搭载第六代的V-NAND，传输速度是上一代产品12Gb SAS 或SAS-3 的两倍。
三星2021年Q1财报表现增长，首先受惠于DRAM和NAND Flash市况，不仅中国手机客户需求和配备容量需求增长，而且数据中心需求在预期经济复苏的带动下，正在逐渐恢复动能。
三星DRAM计划小组副总裁Young-Soo Sohn表示，正在与英特尔等工程团队密切合作，凭借快速、节能的DDR5产品，不断优化服务器存储架构，提高性能。
二期二阶段项目建设工作正在稳步推进，预计2021年年中建成投产，二期满负荷投产后，闪存芯片产能将占到三星电子全球同类产品产量的40%。
与此前推出的970 EVO相比，SSD还具有高达56％的提高的电源效率，使笔记本电脑用户可以更好地管理电源使用情况。
全球芯片供应持续紧缺，也包括存储芯片在内的资源也供不应求，因此三星正在考虑加紧对DRAM产量的提升。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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