Samsung
PM9A3采用三星第六代（1xx层）V-NAND构建，与基于第五代基于V-NAND的PM983a（M.2）相比，连续写入速度提高了两倍，达到3000MB/s， 随机读取速度提高40％至750K IOPS，随机写入速度提高150％至160K IOPS。
三星关于HBM-PIM的论文已被选中在国际固态电路虚拟会议（ISSCC）上进行演示。验证工作有望在今年上半年完成。
在昨日的财报会议上，三星对2021年一季度的市场作出展望。
三星宣布推出新款消费类SATA SSD: 870 EVO SSD，不仅能满足普通PC用户需求，对专业IT工作人员需求也能给与支持。
三星电子宣布2020年四季度盈利预期，预计合并销售额为61万亿韩元，同比增长1.9%，环比下降8.9%；合并营业利润为9万亿韩元，同比增长25.7%，环比下降27.1%。
平泽P2工厂是涵盖最先进DRAM、V-NAND、纳米级制程工艺晶圆代工的先进综合性工厂。
目前三星CIS月产量(以晶圆投入量换算)为10万片、年销售额为42.6亿美元，而明年一座DRAM厂房转换成CIS产线后，预估月产量将提高至12-13万片，与Sony之间的产量差距将大幅缩小。
据韩媒报道，在近日三星举办的投资者会议上宣布，将在明年量产的第七代V-NAND产品中使用“双堆栈”技术，具体堆叠层数却并未透露，此前有消息称，三星下一代3D NAND将超过160层。
三星电子最新公布了5名高管的人事变动，其中三名得到升迁，两名变更了委托业务。
据中国闪存市场数据，三星DRAM每月产能约500K，NAND Flash每月产能约460K，则分别增产50K之后，意味着三星明年上半年DRAM和NAND Flash月产能分别增长约10%。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
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三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
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