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Samsung

三星一直处于创新的最前沿，致力于钻研创新性技术，不断推出新产品，迅猛而且业绩显著地开拓新市场。在闪存、DRAM、非存储芯片、定制半导体等产品线的研究与开发中一直保持领先地位，而且为保持电子数码产品领域领导者的地位不断努力，承诺为顾客提供全球最高水平的产品及服务。 [更多介绍]

2013-08-14

在今年的闪存峰会(2013 Flash Memory Summit)上，三星推出了世界首款基于3D V-NAND技术的固态硬盘驱动器产品。由于采用了新的制造技术，新产品在性能增长20%+的同时、功耗却减少了40%+。三星表示，该公司在本月早些时候开始了新款

2013-08-09

三星电子将从下半年起扩大车载半导体事业。车载半导体最近需求开始上升。据悉，三星首先计划将目前集中于DRAM车载半导体的事业范围扩大到存储设备。

2013-08-06

三星电子6日称，公司在世界上首次批量生产“三维垂直结构NAND闪存”(3D V-NAND)。该产品采用三星电子独创技术--“三维筒形CTF(3D Charge Trap Flash)单元结构”和“三维垂直叠层工艺技术“，较原有20纳米产品的集成度多出一倍。

2013-07-26

三星电子 ( Samsung Electronics Co., Ltd. )26日公布，2013年第2季(4-6月) 半导体部门合并营收年增0.9%(季增1%)至8.68兆韩圆；合并营益年增71%(季增64%)至1.76兆韩圆。三星指出，4-6月存储器营收

2013-07-26

全球智能手机龙头三星电子公司公布第2季盈余未达分析师预估，主因高阶手机市场近饱和，冲击三星旗舰机Galaxy S4销售成长。

2013-07-24

南韩KOSPI指数24日以平低盘(1,904.07点)开出后，在外资小额买进、苹果 ( Apple Inc. )概念股走强的激励下上扬，而三星电子 ( Samsung Electronics)宣称起火半导体厂运作正常也为指数提供支撑。

2013-07-24

三星正式宣布推出行业内首个3GB内存，0.8mm的厚度也成为了全球最薄的内存。该内存封装了6个 20nm制程的4Gigabit LPDDR3芯片，分3叠层并列排放，能够实现2133MB/s的传输速率。

2013-07-24

三星位于南韩的半导体厂今(24)日突然起火燃烧，所幸火势已经扑灭。

2013-07-18

三星电子为扩大面向企业客户的固态硬盘市场，率先开发了2.5英寸NVMe固态硬盘XS1715系列产品，并将于今年下半年正式向全球客户供应。

2013-07-18

三星已经推出了一个新系列的固态硬盘——840 Evo——其容量从120GB到1TB不等。新产品面向一般消费市场，尽管定位入门，但三星声称新的驱动器有着比当前的预算级固态硬盘更优异的性能表现。

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