Samsung
990 PRO 系列的1TB和2TB型号现已上市，4TB 容量型号将于10月上旬上市。
通过使用最新开发的32Gb内存颗粒，即使不使用硅通孔(TSV)工艺也能够生产128GB内存模组。与使用16Gb内存封装的128GB内存模组相比，其功耗降低了约10%。
全新PRO Ultimate 系列采用新型28nm控制器，与此前采用55nm控制器的产品线相比，能效提高了37%。顺序读取速度为200MB/s，写入速度为130MB/s。
据韩媒报道，三星电子将于当地时间10月20日在美国加利福尼亚州圣何塞的McEnery会议中心举办“内存技术日”。
与上一代产品相比，PM9D3a系列SSD随机性能提高了1.8倍，能效提高了1.6倍。
芯驰科技将在全场景车规芯片的参考方案开发中引入三星半导体的高性能存储芯片，共同推进双方在车载领域的技术创新与突破。
三星最新32Gbps GDDR7将进一步强化人工智能、高性能计算和汽车等的应用能力，与上一代24Gbps GDDR6相比，GDDR7性能提升1.4倍，能效提高20%
为满足客户的不同需求，三星的UFS 3.1将提供128GB、256GB和512GB三种容量。在未来的汽车（电动汽车或自动驾驶汽车）应用中，增强的产品阵容能够更有效地管理电池寿命。其中，256GB容量的产品，功耗较上一代产品降低约33%。
三星电子今日披露初步核实数据，预估2023年第二季度销售额为60万亿韩元，同比下滑22.3%，环比下滑6%；营业利润为0.6万亿韩元，同比下滑95.7%，环比下滑6%。
此次更换代工厂和DRAM内存开发负责人，被解读为通过人员更新刺激下一代技术开发的举措。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
Samsung 第九代V-NAND 2024-08-27
Samsung 第八代V-NAND 2022-11-07
Samsung 3D TLC ADGU0F 2018-05-10
Samsung 3D TLC ADGU0D 2018-05-10
Samsung 3D TLC AFGH0A 2018-03-14
三星HBM3E 2024-03-20
三星HBM3 2023-10-17
三星 DDR5 DRAM 2021-10-12
三星 DDR4 DRAM 2011-01-17
三星PM9C1a系列SSD 2023-01-12
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星SSD 990 PRO 2022-08-25
三星PM1743系列SSD 2021-12-23
三星ZNS SSDPM1731a 2021-06-02
三星LPDDR5X DRAM 2024-03-22
Samsung UFS 4.0 2022-05-25
三星eUFS3.1 2020-03-17
三星eUFS 3.0 2019-02-27
三星eUFS 2.1 2019-01-30
.jpg)
三星EVO Plus MicroSD卡 2018-08-23
三星EVO升级版MicroSD卡 2018-05-16
三星PRO microSD卡 2018-04-25
Samsung Micro SD EVO+系列 2016-05-09
Samsung SD EVO+系列 2015-06-09
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱：Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场（ChinaFlashMarket） 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2
