SK海力士今天推出了最新研发的2znm工艺8Gb(Gigabit) GDDR6显存,该产品单通道数据传输速率达到16Gbps,声称业界最快。SK海力士称他们将会在2018年初正式量产全新的GDDR6显存。
据韩国券商Meritz分析师估计,SK海力士第一季营业利润将上看2.5兆韩元,这将是海力士2011年被SK集团并购后,第一次获利突破2兆韩元大关。
SK海力士4月10日宣布,推出业界第一个72层256Gb(Gigabit)3D TLC(Triple-Level Cell)NAND。72层3D NAND堆叠层数是大规模生产的48层3D NAND的1.5倍。单个256Gb NAND Flash芯片代表32
据韩国朝鲜商业日报(Chosun Biz)报导指出,SK海力士常务李炳基(音译)于「半导体、面板发展研讨会」上表示,由于设备、材料业者间缺乏积极合作,恐难突破DRAM、NAND Flash的技术限制。
传SK海力士(SK Hynix)4月将开始生产18nm制程DRAM试制品,可望成为继三星电子(Samsung Electronics)后,第二家投产10nm级DRAM的半导体业者。
Businesskorea.com引述知情人士的消息报导指出,海力士刚在旗下M8晶圆厂成立项目小组,目前正针对制程优化、产能改善与降低成本等项目做可行性评估。
2月6日晚,省委常委、市委书记李小敏,市长汪泉,在南京会见了SK集团副会长、SK海力士(株)代表理事CEO朴星昱一行,双方就SK海力士下阶段战略发展、拓展合作领域进行了深入会谈。
近日,SK海力士宣布推出了首款8GB的高密度LPDDR4X芯片,是一款双通道,采用16Gb单颗Die多芯片封装。
日前,SK海力士才宣布将投资2.2兆韩元新建存储器工厂,另有知情人透露,SK海力士正在积极推进72层3D NAND技术的发展,预计将在2017年Q1推出72层3D NAND样品,Q2开始小批量生产。
SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂,满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设,2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备,总投资达2.2兆韩元(18.4亿美金)。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
深圳市闪存市场资讯有限公司 客服邮箱:Service@ChinaFlashMarket.com
CFM闪存市场(ChinaFlashMarket) 版权所有 Copyright©2008-2023 粤ICP备08133127号-2