据韩媒ETnews报道,SK Hynix将在2017年开始大规模量产10nm级DRAM,成为继三星之后第二家迈入10nm DRAM制程的原厂。SK Hynix在内部结束1xnm DRAM开发工作的同时即开始了1ynm DRAM的研发工作,并且同步建立了1z
据韩国经济报导,SK海力士以21nm制程生产的DRAM为目前获利性高的主力产品,2016年底生产比重将达全部DRAM的40%;10nm级DRAM规划在2017年上半投产。NAND Flash领域将目标订在2017年下半
据韩媒ET News报导,SK海力士的非存储器半导体事业发展方向日前定案,已进入执行阶段;SK海力士并以45亿韩元(约397万美元)向子公司Silicon File取得相关资产设备。Silicon File由于让出CIS事业资产,成为SK海力士晶圆代工的设
南韩存储器大厂SK海力士,今年靠DRAM、NAND赚饱饱,不过该公司并未就此放松,还打算拓展版图,抢攻晶圆代工业务,锁定CMOS影像传感器、显示器驱动IC(DDIC)、电源管理IC(PMIC)等。
SK海力士公布其截止到9月30日的2016年第三季度财报,数据显示其总营收为4.24兆韩元(约37.32亿美元),环比增长8%,同比下滑14%;营业利润为0.726兆韩元(约6.39亿美元),环比增长60%,同比下滑48%;净利润为0.598兆韩元(约5.
SK海力士(SK Hynix)与美国史丹佛大学(Stanford University)以及相关设备及材料业者合作,将共同研发结构类似人类脑神经构造的新半导体元件,期盼能提升巨量资料(Big Data)的运算速度,加速人工智能(AI)时代来临。
SK海力士在今天宣布开始大规模量产UFS2.1的产品,有32GB、64GB和128GB三个容量,基于第二代3D NAND的闪存解决方案,采用的是36层堆叠的3D技术。
SK海力士发布了新的PC300系列SSD,面向消费级市场,规格相当彪悍。这款新品的具体主控不详,但可以肯定主控、闪存、缓存都是海力士自主的。
据ET News报导,韩国存储器大厂SK海力士(SK Hynix)启动10nm级(1x)DRAM研发,并将研发代号订为Alius,藉由拉丁文之意,象征突破10nm制程物理极限,为存储器市场开创另一个新的世界。
SK海力士(SK Hynix Inc.)26日公布2016年第二季(截至6月30日为止)财报,营收为3.941兆韩元,同比下滑15%,由于较第一季度产品出货超出预期,以及Memory需求增加的影响,环比季增8%。
韩国京畿道利川市
SK Hynix 238层4D NAND 2022-08-02
SK Hynix 3D TLC QCG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC UDG8M2M 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2B 2018-04-26
SK Hynix 3D TLC QDG8M2C 2018-03-14
SK海力士HBM3E 2024-03-20
SK海力士HBM3 2021-10-14
SK海力士DDR5 DRAM 2020-10-15
SK海力士 DDR4 DRAM 2016-01-26
SK海力士PCB01 SSD 2024-06-28
Beetle X31 SSD 2023-06-05
SK hynix Platinum P41 SSD 2022-05-19
SK hynix Gold P31 2020-08-19
SK海力士企业级SSD-PE8000系列 2020-04-08
SK海力士UFS2.1系列 2016-06-15
SK Hynix eMMC 5.1系列 2016-06-08
SK海力士UFS2.0系列 2015-07-09
SK Hynix eMMC 5.0系列 2014-04-16
SK Hynix eMMC 4.5系列 2013-10-16
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