编辑: 发布:2009-02-20 13:42
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品出货量不如预期,因此4Q08 NAND Flash位元的出货量仅比3Q08成长约18% QoQ,约只有往年旺季成长幅度的一半,整体NAND Flash品牌厂商的4Q08营收,因此也比3Q08下跌19.3% QoQ成为US$2.227bn。
我们从此次的营收排行可以看出,随着Hynix在4Q08已关闭2座200mm NAND Flash厂房后,4Q08 IM Flash阵营营收已超越Hynix/Numonyx阵营成为第3大阵营,Toshiba由于2008年的产出成长幅度最大,因此营收排行在2008年也成长最多,三星2008年则是维持龙头地位及市占率,由于NAND Flash厂商目前都宣示 2009 年将持续淘汰部份200mm NAND Flash厂的设备,及暂缓300mm厂房的扩充进度来降低市场位供给的速度,以因应2009年市场需求成长的减缓及缩小供过于求的缺口,因此我们预期2009 年NAND Flash厂商市场份额生态将与2008年相似。此外,随着3X nm以下的制程难度及研发成本日益增加,再加上NAND Flash产业价格波动性剧烈,预期未来各阵营间的竞合模式将会更加明显。
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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