本周（8.24—8.28），NAND Flash合约价大致呈现高容量颗粒持平及低容量颗粒小涨。今年第 3 季一些供应商接获手机及MP3 系统客户的高容量应用订单，将随着旺季接近而逐渐加温，因此 8月下旬高容量颗粒的 NAND Flash 合约价，在多空因素的相互影响下，高容量大致呈现持平的状况。随着中国十一长假的到来，以及欧美年终旺季带动相关需求，对于9月初NAND Flash价格走势看法中性偏多。
随着30奈米和x3世代的报到，NAND Flash技术竞争白热化。
随着30奈米和x3世代的报到，三星NAND Flash市场腹背受敌，未来竞争将更激烈。继2009年英特尔(Intel)和美光(Micron)阵营成功量产34奈米制程，三星电子(Samsung Electronics)和东芝(Toshiba)两大阵营下半年也积极进入35奈米和32奈米制程，惟恐竞争力落后对手太多，而原本形同半退出NAND Flash产业的海力士(Hynix)2009年也靠着41奈米制程成功咸鱼翻身；加上东芝量产3-bit-per-cell技术后，让3-bit-per-cell量产不顺的三星压力相当大，整个NAND Flash产业进入全面性技术竞争时代。
据数据分析，2009年消费者对于终端产品的接受速度，最受欢迎的产品还是以低容量产品为主，加上固态硬盘(SSD)应用在2009年的笔记本电脑(NB)市场上，几乎是销声匿迹，也让人担心终端需求的脚步跟不上NAND Flash大厂讲求制程微缩的速度。
再者，2009年消费者对于低价产品的接受度较高，对于高容量的内存需求其实相当有限，因此上游厂在不断制程微缩，扩大容量的同时，其实也要思考消费者是否真的用的到这么大的内存容量，在容量与价格的取舍下，除于全球经济复原期的荷包紧缩时代，消费者应该还是价格考虑至上。
2012年左右市场将供不应求！
IC Insights自1993年起开始调查NAND Flash相关资讯，NAND Flash出货呈现衰退仅在2001年发生过1次。IC Insights认为NANA Flash出货成长态势将持续至2013年，即便是全球经济降温的2009年也不例外，依然能有83%的年增率。
虽然市况回温，但业者对NAND Flash事业的资本支出却仍旧保守。据统计，2008年降为111亿美元，较前1年衰退18%；2009年将进一步减至30亿美元，骤降73%。且亦无听闻业者在2010年有大规模的投资案。
市调机构IC Insights公布的最新调查报告指出，快闪记忆体(NAND Flash)均价将逐渐走扬。尽管需求增温，但因半导体业者资本支出态度保守，供货将转为吃紧。同时还受手持设备、无线消费电子、电脑和通讯设备需求的带动，快闪记忆体(NAND Flash)均价上扬态势将持续至2012年，市场将出现供不应求的情况。
