三季度以来手机终端备货需求走弱,令原厂一大增长引擎熄火,消费类市场面临更严峻的供需挑战。面向手机端,原厂在稳市占的基调下随行就市调整价格,继续将手机、PC超过需求计划的部分产能转产至服务器,调控消费类市场实际的供需水平。在竞争较为缓和的产品中争取更多利润空间,小幅推涨服务器端ASP价格。大方向来看,原厂倾向于稳市场保利润,针对局部竞争激烈的产品,下修缺乏需求支撑的价格,以随行就市守住份额的态度应对。因此,市场结构性涨跌各异,不同产品线走出各自独立的行情。
NAND方面,随着原厂新制程产能释放,NAND整体供应充裕,需求端库存水位也已经逐 步上升,而服务器承载的NAND产能有限,NAND供应增长令NAND ASP正在见顶。由于NAND供应商较DRAM更多,制程品类也更复杂,原厂更难控制NAND市场供应,NAND供应策略摇摆不确定性也更大。另一方面,虽然今年北美服务器市场对QLC SSD需求激增带动部分原厂QLC NAND供应紧张,然而国内市场服务器与mobile QLC导入进展缓慢,缺乏需求支持下,QLC NAND整体降价压力较 TLC NAND更大,部分原厂或将QLC NAND产能调整至TLC NAND,以缓解出货压力。
DRAM方面,结构性分化更严重,DRAM产品涨跌各异。由于部分存储原厂LPDDR4X产能快速攀升补位供应, LPDDR4X供需失衡价格下挫,LPDDR5X价格单点上涨难度加大。部分原厂计划针对性减产旧制程DRAM产品,减少1z DRAM产能供应,加速向1b DRAM等先进制程切换。整体来看,主力原厂将减少DDR4/LPDDR4X产出,提高服务器DDR5及HBM产量。预计至2024年底,三星、SK海力士和美光合计达到30万片的HBM月产能,明年全球HBM市场规模将超过300亿美元,HBM将占DRAM晶圆产能约15%至20%。
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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