三星电子最新财报显示，2024年第三季度（7-9月）营收79.10万亿韩元(约合572.9亿美元)，环比增长7%，同比增长17%；经营利润9.18万亿韩元(约合66.5亿美元)，环比减少12.1%，同比增长277.8%，主要原因在于一次性成本开支，包括设备解决方案（DS）部门提供的激励措施，加之韩元兑美元走强；净利润10.10万亿韩元(约合73.2亿美元)，环比增长2.6%，同比增长72.9%。

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子Q3存储营收为22.27万亿韩元(约合161.3亿美元)，环比增长2%，同比增长112%。结合一、二季度，三星电子前三季度存储营收达61.5万亿韩元，比去年同期的28.42万亿韩元，同比增长116.4%。存储业务所在的DS部门经营利润为3.86万亿韩元(约合28亿美元)，环比减少40.2%，同比增长203%。

三星电子特别就引领半导体事业的Device Solution(DS)部门的低迷业绩表示："存储业务虽然服务器和高带宽存储器(HBM)需求坚挺，但由于部分移动客户库存调整和中国存储器企业的通用产品供应增加、一次性费用、环境影响等，业绩有所下降。"

数据来源：三星电子，图表制作：CFM闪存市场

三星电子表示，三季度由于主要数据中心和科技企业持续投资，对人工智能和传统服务器的需求强劲。但由于部分客户库存调整，mobile领域需求相对疲软，供需状况受到中国市场成熟制程产品供应增加的影响，另外，三星电子积极响应AI及服务器产品需求，并积极消化原有产品库存，进一步改善库存水平及产品结构，与上一季度相比，HBM、DDR5及Server SSD收入均实现较大幅度增长，但由于库存估价损失逆转较上一季度减少、提供奖励等一次性费用以及美元疲软造成的货币影响，业绩出现下降。

研发投入和先进技术

三星电子2024年第三季度研发投入8.87万亿韩元，比上一季度环比增长9.24%。DRAM方面，三星电子第四季度计划配合HBM产能扩大销售，加速服务器DDR5向1b纳米过渡，积极提高32Gb DDR5高密度产品销售比重。NAND方面，将扩大基于第八代（V8）的PCIe Gen5的销售，并计划量产具有高增长潜力的QLC NAND 64TB产品。

市场展望

三星电子表示，第四季度尽管PC和mobile领域存储需求可能会出现疲软，但人工智能需求增长将依旧保持强劲，在此背景下，将专注于推动高带宽内存(HBM)和高密度产品销售。三星电子预计四季度将延续上一季度发展势头，计划加速旧生产线向尖端节点转换，并计划在年底前完成库存水平和库存组合的正常化。

展望2025年，数据中心和科技企业投资可能将持续推动人工智能保持强劲增长，并且除了人工智能服务器之外，对传统服务器的需求预计也将稳步强劲。在宏观经济持续不确定的情况下，三星电子将继续专注于提高先进技术的竞争力，加强高端产品和AI能力的领导地位。DS部门将满足基于先进技术和高附加值产品（如HBM和服务器SSD）的差异化产品需求。

对于DRAM，三星电子计划扩大HBM3E的销售和高端产品的比例，例如用于服务器的128GB或更高密度的DDR5以及用于移动、PC、服务器等的LPDDR5X。NAND方面，三星电子将积极响应基于QLC NAND产品（包括64TB和128TB SSD）的高密度需求，并通过加速从V6到V8的技术迁移来巩固在PCIe Gen5市场的领导地位。