Spansion ORNAND闪存技术
NAND、NOR闪存的基本原理 无论NAND还是NOR,两者在基本的数据存储方式和操作机理上都大致相同。闪存以单晶体管作为二进制信号的存储单元,它的结构与普通的半导体晶体管(场效应管)非常类似,区别在于闪存的晶体...
OneNAND结合了NAND存储密度高、写入速度快和NOR读取速度快的优点,整体性能完全超越常规的NAND和NOR。
黑片就是指芯片工厂选出的淘汰的次品,没有打上工厂标,和芯片型号的芯片,这样的芯片都经过个种渠道流通到市场上来,现在很多U盘大厂大量的采购芯片厂选下的坏块多的芯片,经过技术处理,做成产品,来降低他们的...
固态硬盘--SSD(Solid State Disk)泛指使用NAND闪存组成的通用存储系统。其特别之处在于没有机械结构,利用传统的闪存特性,以区块写入和抹除的方式进行读取以及写入的动作。
SLC 与 MLC 的参数对比
虽然SSD比磁盘技术似乎有巨大的优越性,但是也存在着一些缺点。首先它的价格昂贵,因为内存的花费差不多是磁盘存储的100倍。
SSD VS SAS 硬盘解析
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术,彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。
Windows 2000/XP中新增了一些对硬件支持即插即用的功能,例如,新买的移动闪存盘(卡)直接接到Windows 2000/XP系统所在机器上的USB接口上,就可以使用了,然而,在使用中经常困扰用户的一个问题便是经常无法顺利...
迅盘技术(Robson)、Ready Boost和Ready Drive的区别
SDHC是“High Capacity SD Memory Card”的缩写,即“高容量SD存储卡”。2006年5月SD协会发布了最新版的SD 2.0的系统规范,在其中规定SDHC是符合新的规范、且容量大于2GB小于等于32GB的SD卡。
我们一般在更换芯片/闪存/主控等时候,应注意
英特尔迅盘,(Intel Turbo Memory)也就是此前我们经常提及的Robson。迅盘采用了闪存模块+主控芯片的组成方式,其中主控制芯片针对数据的读写进行相应的控制,类似北桥芯片组中的内存控制器,闪存模块则用来存...
SD、mini-SD、MicroSD的区别
存储原厂 |
三星电子 | 53500 | KRW | +0.94% |
SK海力士 | 169600 | KRW | +0.65% |
铠侠 | 1580 | JPY | -7.33% |
美光科技 | 88.850 | USD | -1.41% |
西部数据 | 60.550 | USD | +0.51% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.20 | TWD | +1.33% |
主控厂商 |
群联电子 | 479.5 | TWD | +3.34% |
慧荣科技 | 54.880 | USD | +1.82% |
联芸科技 | 43.73 | CNY | +2.05% |
点序 | 45.30 | TWD | +0.67% |
国科微 | 72.50 | CNY | -1.53% |
品牌/模组 |
江波龙 | 93.95 | CNY | -1.38% |
希捷科技 | 87.675 | USD | +0.42% |
宜鼎国际 | 214.5 | TWD | +1.90% |
创见资讯 | 90.3 | TWD | +1.46% |
威刚科技 | 79.0 | TWD | +0.13% |
世迈科技 | 19.110 | USD | +3.24% |
朗科科技 | 22.03 | CNY | -3.50% |
佰维存储 | 65.70 | CNY | -2.87% |
德明利 | 90.40 | CNY | -2.16% |
大为股份 | 12.54 | CNY | -4.13% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.60 | TWD | +1.76% |
力成 | 124.5 | TWD | +2.47% |
长电科技 | 39.03 | CNY | -2.38% |
日月光 | 160.5 | TWD | +1.90% |
通富微电 | 29.43 | CNY | -2.49% |
华天科技 | 11.93 | CNY | -2.21% |
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