2009年三星策略上减少现货市场的供货量,以系统业者大客户为主,加上释放到现货市场的记忆卡成卡数量也减少,因此是2009年NAND Flash价格稳健的主因之一。
低密度microSD卡,消息东芝工厂停电从而有助于进一步促进低密度NAND闪存芯片的价格在本周( 7月27号至31号)持续上升。
我们认为,改善记忆卡的需求在本周( 7月20号至24号) ,体现于更多的内存卡交易。
经济部工业局今(22)日举行「DARM产业再造方案」说明会,局长杜紫军在会后记者会中,率先针对TMC破局的市场看法澄清,政府对于DRAM产业再造上,希望进行结构性的改变,因此才会拖了这么久,如今「DRAM产业再造方案」公布,代表TMC条件都已准备好了,现在
下游客户采购意愿仍低,上游供应商也持续小幅调低主流 MLC NAND Flash 合约价, 7 月上旬主流的 MLC NAND Flash 合约价大致呈现小幅下跌约 1% 到 5%
年中库存盘点,导致上周NAND闪存现货市场需求下降,整体价格保持稳定;DRAM上周交易仍然有限,需求疲弱
NAND闪存的现货市场上周( 6月22-26段)持续疲弱,市场焦点主要集中在英特尔的34nm芯片,而合约价大致呈现持平或小跌的情况,近期NAND Flash市场呈现胶着盘整的状态。
DDR2 1Gb eTT本周现货价格上扬逾5%,唯成交反应清淡;季底效应与淡季因素,NAND Flash价格呈现部份持平与部分回软的走势
NAND flash 市场上周价格整体表现平稳整,体需求较弱,买气不足;DRAM上周现货市场价格急剧下跌
Computex Taipei 2009展后评析,从新产品展望未来DRAM之发展
全球DRAM业第一季受到价格下滑与减产影响,季营收较上季下滑逾二成,市场占有率仍以韩国三星、海力士分居前两名
由于供应商控货,加上客户以及中国手机市场需求, 4月下旬主流 MLC NAND Flash(储存型快闪记忆体) 合约均价大致上涨 8-18% ,预期5月上旬主流的NAND Flash MLC 合约均价可望再上涨约 5% 以上。
DDR2 1Gb eTT颗粒价格自2月20日大涨逾10%至0.96美元后,经过短暂的持平走势,上周(02/24-03/02)颗粒价格再次呈现下滑的走势
DRAM :现货颗粒价格上周上涨逾10%,二月下旬合约价格表现持平
4Q08 在金融风暴的影响下,使得传统旺季需求出现远不如预期的情况,迫使 NAND Flash供货商在业绩及库存的双重压力下,而采取了持续降价的策略来去化库存及刺激买气,因此4Q08 NAND Flash ASP约比3Q08下跌32% QoQ,由于终端产品
存储原厂 |
三星电子 | 53700 | KRW | +1.32% |
SK海力士 | 172400 | KRW | +2.32% |
铠侠 | 1618 | JPY | -5.10% |
美光科技 | 90.120 | USD | +3.48% |
西部数据 | 60.240 | USD | +1.04% |
南亚科 | 31.00 | TWD | +1.97% |
华邦电子 | 15.25 | TWD | +1.67% |
主控厂商 |
群联电子 | 478.5 | TWD | +3.12% |
慧荣科技 | 53.900 | USD | +1.26% |
联芸科技 | 45.00 | CNY | +5.02% |
点序 | 45.35 | TWD | +0.78% |
国科微 | 74.77 | CNY | +1.55% |
品牌/模组 |
江波龙 | 96.60 | CNY | +1.41% |
希捷科技 | 87.310 | USD | -0.26% |
宜鼎国际 | 213.5 | TWD | +1.43% |
创见资讯 | 90.6 | TWD | +1.80% |
威刚科技 | 78.9 | TWD | 0.00% |
世迈科技 | 18.510 | USD | +0.82% |
朗科科技 | 22.51 | CNY | -1.40% |
佰维存储 | 67.81 | CNY | +0.25% |
德明利 | 94.50 | CNY | +2.27% |
大为股份 | 12.82 | CNY | -1.99% |
封测厂商 |
华泰电子 | 34.40 | TWD | +1.18% |
力成 | 123.0 | TWD | +1.23% |
长电科技 | 39.53 | CNY | -1.13% |
日月光 | 162.0 | TWD | +2.86% |
通富微电 | 29.74 | CNY | -1.46% |
华天科技 | 12.11 | CNY | -0.74% |
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