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SK集团董事长崔泰源特别强调了SK海力士的开发能力,“过去,SK海力士的开发速度略落后于英伟达的步伐,不过,现在我可以自信地说,SK海力士的开发速度稍微领先于英伟达。”且今年的(HBM)供应量已经在工作层面决定了。

十铨将持续扩大市场经营布局,开拓B2B及工控领域,在多元应用的存储方案驱动下,期待新一年营运绩效再创高峰。

2024年前11个月,韩国主打出口产品中固态硬盘(SSD)对美出口占比大升,对华(含香港)则骤降。

适逢元旦假期,按照国家节假日规定,放假1天,即2025年1月1日放假。放假期间,停止所有产品报价,1月2日(周四)恢复所有产品报价。

品安透露,为应对DRAM产业起伏不定,与物价通膨趋势等非预期事件冲击,拟定最符合未来价值需求竞争策略,将调降DRAM生产比重,朝向跨足多重领域,提高非DRAM营收,分散经营风险,转型多元制造智能工厂。

业界认为,三星电子的产品开发策略发生了变化,经过最新的组织及人事调整后,三星电子正在积极鼓励技术发展。在DRAM领域,三星电子正在开发4F² VCT DRAM和3D DRAM等多种技术,以应对下一代DRAM市场,1e DRAM也是其中之一。

SK海力士正在加快下一代HBM产品开发和生产的尝试,为了响应随着NVIDIA 等客户的 AI 加速器开发周期加快而加速新 HBM 产品供应的要求。HBM3E 16层很可能配备NVIDIA 最新 AI 加速器“ Blackwell”的下一版本。

美国商务部宣布向SK海力士提供4.58亿美元的直接资助,这一金额比此前初步交易备忘录(PMT)中披露的4.5亿美元增加了800万美元。此外,CHIPS项目办公室还将向SK海力士提供5亿美元的贷款。

亚马逊、微软、谷歌、Meta和苹果均积极致力于AI半导体项目。因此,三星电子和SK海力士将从HBM4开始加强定制服务,这意味着详细的HBM设计将因每个客户而异。

值得注意的是,这条测试线与第六代DRAM量产准备是同时建立的。三星电子计划从明年初开始在P4工厂引入半导体设备,生产10纳米级第六代DRAM。

据韩媒报道,美光将在12月上旬至中旬在韩国各大大学举办招聘说明会,史无前例的“当日招聘(针对预申请者)”,成功的候选人将前往台湾地区台中DRAM 制造工厂工作。

美国专利商标局最近公布了一起专利争议案件的结果,美光对长江存储持有的美国专利US11,600,342提出的无效宣告请求被专利审判和上诉委员会PTAB驳回。

三星电子计划于明年2月在ISSCC上详细发布其1Tb容量400层TLC NAND,其量产预计将于明年下半年开始,但业界预测,如果加快进程,生产可能会在第二季度末开始。

据业界消息,为了满足苹果iPhone的要求,三星电子试图将LPDDR的集成电路改为分立封装,这意味着LPDDR将与系统半导体分开(即分立)封装,预计这一改变将在2026年实现,旨在扩大设备端AI的内存带宽。

美国近日升级对中国出口管制,据CFM闪存市场梳理,在BIS发布的具体文件中,对于存储芯片部分更新与增加了对DRAM的限制,删除此前“18nm及以下节点”的描述,进一步细化到针对存储单位面积以及存储密度上的管控。

股市快讯 更新于: 01-11 08:02,数据存在延时

存储原厂
三星电子55300KRW-1.43%
SK海力士203500KRW-0.73%
铠侠2009JPY+0.20%
美光科技99.340USD-0.07%
西部数据62.820USD-1.94%
南亚科25.95TWD+0.78%
华邦电子13.80TWD+0.73%
主控厂商
群联电子471.0TWD-1.88%
慧荣科技52.960USD-4.01%
联芸科技42.34CNY-1.97%
点序41.15TWD-1.91%
国科微58.55CNY-2.34%
品牌/模组
江波龙79.92CNY-3.57%
希捷科技88.870USD+0.20%
宜鼎国际211.5TWD+0.24%
创见资讯86.1TWD+0.58%
威刚科技76.3TWD-1.29%
世迈科技20.650USD+7.95%
朗科科技18.52CNY-8.27%
佰维存储56.50CNY-4.22%
德明利87.80CNY-3.79%
大为股份14.02CNY-6.66%
封测厂商
华泰电子32.00TWD-2.44%
力成118.5TWD-0.84%
长电科技40.08CNY+6.34%
日月光168.5TWD+1.51%
通富微电27.95CNY+1.49%
华天科技10.83CNY-0.18%