全球第二大半导体制造商三星电子公司发布初步预估,表示因受电脑晶片与面板价格下跌拖累,第三季获利将低于分析师预估。
三星电子(Samsung Electronics)的品牌价值在2010年全球100大品牌(Best Global Brands)调查中,排名居第19名。
智能型手机(Smartphone)、平板计算机(Tablet PC)等革新性行动装置制作成实体的过程中,对高性能、低耗电半导体的需求也正逐渐增加,因此三星计划以性能提升,且减少耗电量的半导体产品主导市场。
三星半导体目前有记忆体、逻辑IC与代工3大事业,晶圆代工部分虽自2005年才开始跨入,但目前45奈米及32奈米已量产,2011年将导入28奈米高介电金属闸极(High-k Metal Gate,HKMG)技术,且会聚焦在低功耗及应用处理器(AP)市场。
三星2010年有5大计划;第1是位于南韩华城的Line 16正式动工,未来单月产能可达20万片,主要是生产DRAM、NAND Flash和相变化内存(PCM);第2是正式宣布投入18兆韩圆(换算约158亿美元)兴建新厂房,这是三星有史以来的年度最高厂房投资
南韩KOSPI指数6日以高盘(1,791.76点)开出后,由科技类股领军走高。根据嘉实XQ全球赢家系统资料显示,截至台北时间6日上午10时53分为止,KOSPI指数上涨0.39%(7.03点),报1,787.05点。
2011年该公司考虑投资约30兆韩圆(255.5亿美元)提升现有营运并拓展新业务,投资金额创下历史新高纪录。三星在2010年预定在制造设备与研发作业投入26兆韩圆。
三星公布了型号为470的SSD产品系列,采用30nm MLC闪存打造,内置双控制器,支持TRIM,采用3Gbps的SATA接口连接,写入和读取速度分别为250和220MB/s。
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)30日公布2010年第2季(4-6月)财报:合并营收年增17%至37.89兆韩圆;合并营益连续第2个季度创历史新高,年增88%(季增13.6%)至5.01兆韩圆。
三星电子(Samsung Electronics Co., Ltd.)21日宣布,本月将在世界上最早实现30纳米级2GB DDR3 DRAM量产。这是继去年7月三星在业内最先实现40纳米级DDR3 DRAM之后的又一纪录。
韩国京畿道龙仁市器兴区三星路1号
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